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我们以LM358这个IC为例，讲解下Homogeneous类型元器件的创建方法，LM358的原理部分结构如图2-40所示，是由两个完全一样的放大器集成的， 图2-40 LM358原理部分构造示意图第一步，在olb文件单击鼠标右键，建立新的New Part，Name那一栏输入LM358，PCB封装那一栏可以先不填写，下面的Parts per pkg输入2个，由两部分组成，Package Type选择Homogeneous，其它的按照系统默认即可，点击ok，如图2-41所示，&n
在之前我们已经讲述了Homogeneous类型与Heterogeneous类型元器件的区别，所以这里我们同样以LM358为例，来讲述Heterogeneous类型元器件的创建方法，LM358的原理部分结构如图2-44所示，第一步，在olb文件单击鼠标右键，建立新的New Part，Name那一栏输入LM358，PCB封装那一栏可以先不填写，下面的Parts per pkg输入2个，由两部分组成，Package Type选择Heterogeneous，其它的按照系统默认即可，点击ok，如图2-45
答:我们以LM358这个IC为例，讲解下Homogeneous类型元器件的创建方法，LM358的原理部分结构如图2-40所示，是由两个完全一样的放大器集成的， 图2-40 LM358原理部分构造示意图第一步，在olb文件单击鼠标右键，建立新的New Part，Name那一栏输入LM358，PCB封装那一栏可以先不填写，下面的Parts per pkg输入2个，由两部分组成，Package Type选择Homogeneous，其它的按照系统默认即可，点击ok，如图2-41所示，
答：在2.17问中我们已经讲述了Homogeneous类型与Heterogeneous类型元器件的区别，所以这里我们同样以LM358为例，来讲述Heterogeneous类型元器件的创建方法，LM358的原理部分结构如图2-44所示，第一步，在olb文件单击鼠标右键，建立新的New Part，Name那一栏输入LM358，PCB封装那一栏可以先不填写，下面的Parts per pkg输入2个，由两部分组成，Package Type选择Heterogeneous，其它的按照系统默认即可，点击ok，
有不少电子小白很好奇，MOS管如何控制电流方向？今天将针对这个问题，以NMOS为例，谈谈其如何通过电压比较器精确控制电流方向及大小的具体实现方法，本文仅供参考，希望对小伙伴们有所帮助。1、电路构成电压比较器：使用LM358等双运放比较器，正
在消费电子与工业控制领域，LM358作为经典双运放芯片，以其低功耗与宽电压特性长期占据入门级市场。本文将全面介绍该芯片，以此帮助工程师。1、LM358芯片的核心参数2、LM358芯片的应用场景①信号调理传感器接口（4-20mA转0-5V）限
双电源单运放方波振荡电路
典型的基于运放（双电源供电）的方波振荡器电路。其核心是利用运放作为施密特触发器（带滞回的比较器），配合RC充放电网络（R1, C1）产生振荡。其中VCC 是正电源，VEE 是负电源，后面的实验中采用±6V, 电容 C1 = 10nF，运放采用 LM358, 电路中 R2 和 R3 相等，R1和 C1
LM358B 和 LM2904B 是业界通用运算放大器 LM358 和 LM2904 的下一代版本，其中包括两个高压 (36V) 运算放大器。这些器件为成本敏感型 应用带来了出色的价值，该器件的 特性 包括低失调电压（300µV，典型值）、
