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带有 IGBT4 和二极管的 HybridPACK™ 驱动模块是一款符合汽车标准的电源模块，专为混合动力和电动汽车应用而设计。 产品 FS380R12A6T4LB 配有 PinFin 基板和高性能陶瓷。优势紧凑型设计直冷底板和高性能陶瓷集成
重要IGBT特性
UCC27531QDBVRQ1功能框图驱动配置：低端通道类型：单路驱动器数：1栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压 - 供电：10V ~ 32V逻辑电压 - VIL，VIH：1.2V，2.2V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.
半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT、IGCT、发光二极管、敏感器件等。半导体分立器件
输入变频器滤波器主要功能是抑制变频器的IGBT电子元件产生的电磁干扰，通过输入电源R，S，T传输到公共电网，从而导致电源失真或其他电气设备的供电波形。输出变频器滤波器主要功能是抑制变频器输出侧的三根导线U，V和W产生的干扰，并干扰变频器自身
1200V、IXYA20N120A4HV、IXYA30N120A4HV采用第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成。概述：沟槽型1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4
1、IKW30N65EL5XKSA1（650V）TRENCHSTOP™ 5 L5（低饱和5）IGBT处于开关频率范围的另一端，优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。针对50Hz至20kHz的低开关频率范围对L5进行了专门优化。L
1200V HighSpeed3 H3 IGBT系列是硬开关和软开关拓扑结构的理想选择。该系列为开关损耗树立了新标杆，推荐用于开关频率为20 kHz以上的拓扑。超短尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争对手低25%）是该系列的主要特性，将该系列
1、IKD10N60RFATMA1 600V RC快速驱动是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性，可节省高达60%的PCB空间。详细描述：IGBT
很多读者要求介绍一下IGBT内容，这期就论述IGBT基础：结构及特点，下一篇回到MOSFET，介绍完MOSFET相关内容后，再进一步介绍IGBT的数据表。我们的工程师经常会问到： 穿透型、非穿透型IGBT，这里的"穿透"、"非穿透"是什么含义？IGBT具有不同的内部结构，如穿透型、非穿透型和现在广泛
