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IC类的器件与我们讲的分立器件、逻辑器件不同,下面我们以TPS54531这个电源IC为例讲解IC器件封装创建的方法,查找TPS54531的Datasheet,它的封装信息如图2-21所示,  图2-21 TPS54531封装信息示意图第一步,在olb文件单击鼠标右键,建立新的New Part,Name那一栏输入TPS54531,PCB封装那一栏可以先不填写,下面的Parts per pkg输入1个,是单Part的器件,如图2-22所示: 图2-22&nbs

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IC类器件的封装应该怎么创建?

电源转换芯片电路设计及上电顺序设计-作为一个硬件设计的小菜鸟,在画项目电源设计部分的原理图时,遇到许多问题,现在对遇到的问题和解决心得做个总结分析,以供参考。 我进行电源部分的原理图设计一般步骤: 1.功耗分析。 设计电源首先要进行功耗的分析,把整个电路有关器件,特别是IC器件(如FPGA、DSP、AD、DA芯片等)的功耗做个预评估,可以参考对应芯片的数据手册,特别的如赛灵思的FPGA芯片,还需要使用它的评估软件,重点获得电压、电流值,列成表格如下。 2.电源芯片选型

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电路之家 2017-01-01 00:00:00
电源转换芯片电路设计及上电顺序设计

电源转换芯片电路设计及上电顺序设计-作为一个硬件设计的小菜鸟,在画项目电源设计部分的原理图时,遇到许多问题,现在对遇到的问题和解决心得做个总结分析,以供参考。 我进行电源部分的原理图设计一般步骤: 1.功耗分析。 设计电源首先要进行功耗的分析,把整个电路有关器件,特别是IC器件(如FPGA、DSP、AD、DA芯片等)的功耗做个预评估,可以参考对应芯片的数据手册,特别的如赛灵思的FPGA芯片,还需要使用它的评估软件,重点获得电压、电流值,列成表格如下。 2.电源芯片选型

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电路之家 2017-01-01 00:00:00
电源转换芯片电路设计及上电顺序设计

答:Silkscreen,指的是PCB设计中的丝印,包括TOP与BOOTOM面的丝印,正反面的丝印刚好是镜像过的。丝印一般包括器件的外框丝印线、IC器件的1脚标识、位号字符、有极性器件的极性标识。 Soldmask,指的是PCB设计中的阻焊,包括TOP与BOOTOM面的阻焊,特别注意这个是这个是反显层,有的表示无的,无的表示有。就是PCB板上焊盘(表面贴焊盘、插件焊盘、过孔)外一层涂了绿油的地方,它是为了防止在PCB过锡炉(波峰焊)的时候,不该上锡的地方上锡,所以称为阻焊层(绿油层),

【电子概念100问】第060问 PCB常用的Silkscreen、Soldmask、Pastmask的含义是什么?

答:IC类的器件与我们讲的分立器件、逻辑器件不同,下面我们以TPS54531这个电源IC为例讲解IC器件封装创建的方法,查找TPS54531的Datasheet,它的封装信息如图2-21所示,  图2-21 TPS54531封装信息示意图第一步,在olb文件单击鼠标右键,建立新的New Part,Name那一栏输入TPS54531,PCB封装那一栏可以先不填写,下面的Parts per pkg输入1个,是单Part的器件,如图2-22所示: 图2-22&n

【ORACD50问解析】第13问 IC类器件的封装应该怎么创建?

Silkscreen,指的是PCB设计中的丝印,包括TOP与BOOTOM面的丝印,正反面的丝印刚好是镜像过的。丝印一般包括器件的外框丝印线、IC器件的1脚标识、位号字符、有极性器件的极性标识。

【电子设计基本概念100问解析】第69问 PCB常用的Silkscreen、Soldmask、Pastmask的含义是什么?

​答:IC类的器件与我们之前讲的简单的电容电阻器件不同,下面我们以TPS54531这个电源IC为例讲解IC器件封装创建的方法,查找TPS54531的Datasheet,它的封装信息如图2-9所示:

【原理图库创建常见问题解答50例解析】第9问 IC类器件的元件模型如何创建?

IC类的器件与我们之前讲的简单的电容电阻器件不同,下面我们以TPS54531这个电源IC为例讲解IC器件封装创建的方法,查找TPS54531的Datasheet,它的封装信息如图1所示:图1第一步:在创建好的库文件点击菜单栏“工具--新器件

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凡亿教育刘老师 2022-01-10 17:30:30
AD中 IC类器件的封装应该怎么创建?

在PCB设计中,电磁干扰对电子工程师来说是极为常见的内容,若是处理不当将会影响到电路的稳定性和性能,因此要想降低EMI问题,切断EMI传播路径是重要的环节,那么如何切断?1、提高敏感器件的抗干扰性能①IC器件尽量焊接在电路板上,降低IC座的

如何切断PCB设计中的电磁干扰传播路径?

说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品,将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装,以生产标准栅极驱动SIC器件。该系列具有超低栅极电荷,非常适合开关感性负载和需要标准

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明佳达电子Mandy 2024-06-24 16:22:11
新品,分立式晶体管 UF3C065080B3 UF3C065080K3S UF3C065080T3S 650 V, 80 mohm SiC FET