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自从美国商务部发布了主要针对DRAM芯片和NAND闪存芯片的中国技术出口限制,该限制内容为芯片制造商在采购生产设备时,若涉及到美国供应商,将受到严格审查,涉及范围有18nm或以下的DRAM芯片、128层或以上的NAND闪存芯片、14纳米或以

国产存储芯片如何在重压之下突围?

电源输出的滤波电容要靠近输出管脚放置2.USB的电容放置不到位,应该线经过电容在连接到USB器件,差分出线要耦合出线,走在一起3.器件干涉4.SDRAM的滤波电容尽量保证一个管脚一个5.顶底层器件干涉,顶层器件是插件,你底层也放器件,后期不

立创EDA梁山派-uae作业评审报告

存在多处尖岬铜皮和孤岛铜。2. 多处器件摆放干涉,如生产会造成两个器件重叠无法焊接。3.部分管脚存在开路。4.数据线分组错误,少了LDQM和HDQM5.地址线分组错误,缺少部分信号;以设计规范为准。以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB

90天全能特训班17期马晓轩+allegro 2片SDRAM菊花链模块作业评审

低八位等长超出范围高八位也超出范围地址线也不等长这里走线不满足3w布线未完成以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码联系助教:https://item.taobao.com/item

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全能17期K-AD第6次作业-sdram_1作业作业评审

1、存在开路和短路。2、地址线的等长是ic到ddr的长度。3、时钟线布线错误,应该从u16到r46再到u1。4、时钟线等长错误,是SDRAM段到电阻和电阻段ic的线一样长。以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PC

黄玉章-AD第四次作业-SDR模块作业评审

跨接电容旁边进行多打地过孔,不同的地间距建议2mm2.器件干涉3.SDRAM等长还存在没有达到目标值4.走线尽量不要从电阻电容中间穿5.滤波电容应该靠近输入管脚放置以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班

90天全能特训班15期 AD-lzhong-达芬奇-作业评审

添加的地线尽量多打地过孔2.数据线一组尽量走一起,中间不要有地址线3.此处网络需要加入class一起进行等长4.电源需要处理一下,器件摆放尽量中心对齐以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问

90天全能特训班17期 AD-蒋冠东 -1SDRAM-作业评审

走线未连接到过孔中心2.器件干涉3.时钟信号等长不符合规范4.滤波电容尽量靠近管脚摆放,尽量一个管脚一个5.直接在电源层铺一个整版电源即可以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码联系

90天全能特训班17期 AD-花生果汁 -1SDRAM-作业评审

差分锯齿状等长不能超过线距的两倍2.注意过孔不要放置过孔上3.T点打孔尽量对齐4.D1未添加pin pair进行等长,存在报错5.地址线也存在报错6.后期自己在电源层和地层铺铜进行连接以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审

90天全能特训班17期 allegro-马晓轩 -2SDRAM-作业评审

晶振需要走内差分处理2.SDRAM数据线低八位和高八位需要分开创建class,分别进行等长3.注意数据线之间等长需要满足3W规则4.地址线也需要满足3W规则5.滤波电容靠近管脚放置,尽量保证一个管脚一个6.数据线等长误差建议+-25,mil

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