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在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超
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在电子产品的设计与制造中，许多工程师会使用降额设计来提高产品的可靠性，但部分人对降额有一定的误区，认为降额不过是简单的数值调整，实则不然。降额设计的背后，隐藏着对器件特性、工作环境、负载条件等多方面的深入理解与精细计算。1、工艺差异影响降额
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