扫码关注
- 全部
- 默认排序
Micro SD卡是一种极细小的快闪存储器卡，其格式源自SanDisk创造，原本这种记忆卡称为T-Flash，及后改称为Trans Flash；而重新命名为Micro SD的原因是因为被SD协会 (SDA) 采立。另一些被SDA采立的记忆卡包括Mini SD和SD卡。其主要应用于移动电话，但因它的体积微小和储存容量的不断提高，已经使用于GPS设备、便携式音乐播放器和一些快闪存储器盘中。
4月下旬，彭博社曾报道称，闪存控制芯片厂商慧荣（Silicon Motion）考虑出售，正与潜在收购者进行洽谈有关出售自家股票的可能性，引发行业热议。速成学习DSP？精通芯片设计？不如选择《4层DSP芯片主控产品设计全程实战》资料显示，慧荣
近日，知名市场调查机构Yole Dédevelopement发布《内存行业年度状况报告》，报告中分析了2022年DRAM和NAND闪存芯片市场的发展趋势及预测，今天将为小伙伴们划出重点。报告中指出，2022年，DRAM市场将增长为25%，市
据台媒报道，近日有业界人士分析，芯片制造商入局200层以上3D NAND闪存芯片，将掀起一场风波，这风波将促使QLC SSD的应用，尤其是在2023年的消费电子领域。据业界人士分析，在消费类SSD中，QLCNAND的采用率预计将在明年达到2
闪存芯片一直以来是摆地摊 芯片的大类芯片，虽然低调默默无闻，但却是半导体供应链最重要的芯片之一，在智能手机、电脑等电子设备，闪存芯片起码占据了重要的地位。再加上DIY装机及5G等技术的推动下，所以在此趋势下，全球闪存芯片市场迎来了“内卷模式
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息存在的问题。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同厚度的铁磁层及一层
RL78/F13 微控制器是 78K0R 和 R8C 的继任者，提供 20 至 80 引脚、16KB 至 128KB 的闪存系列，实现了业界最低的消耗电流水平。 内置 CAN 模块和 LIN 模块用于汽车接口，除了功能安全特性外，还具有 R
PSoC® 6微控制器 (MUC) 是一款超低功耗、高性能的PSoC MCU，具有关键安全特性，可用于物联网应用。PSoC 6基于超低功耗40nm工艺技术，提供双核ARM® Cortex®-M架构。该款MCU还提供电容传感解决方案CapSe
8位 MCU微控制单元, 闪存, PIC16 Family PIC16F8XX Series Microcontrollers, 20 MHz, 14 KB, 368 Byte, 28 引脚型号：PIC16F876A-I/SP PIC16
自从美国商务部发布了主要针对DRAM芯片和NAND闪存芯片的中国技术出口限制，该限制内容为芯片制造商在采购生产设备时，若涉及到美国供应商，将受到严格审查，涉及范围有18nm或以下的DRAM芯片、128层或以上的NAND闪存芯片、14纳米或以
