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据台媒报道，近日有业界人士分析，芯片制造商入局200层以上3D NAND闪存芯片，将掀起一场风波，这风波将促使QLC SSD的应用，尤其是在2023年的消费电子领域。
据业界人士分析，在消费类SSD中，QLCNAND的采用率预计将在明年达到20%。
近年来，随着全球芯片严重短缺，芯片制造厂商不得不寻求机会以获取替代业务，加上大火的3D NAND闪存芯片已成为当下的“新风口”，为挣杯羹，芯片制造厂商纷纷入局200层以上的3D NAND闪存芯片，QLC NAND闪存芯片价格在芯片制造厂商带来的先进技术迭代进一步降低，有人分析预测在2024-2025年，QLC NAND SSD将被广泛应用在企业级SSD。
据了解，三星电子或将率先在2022年底开始生产200层以上的3D NAND闪存芯片，按照其发展路线图来看，将在2023年初推出超200层的第八代V-NAND。
而美光科技已推出号称是业界首个232层的3D NAND闪存芯片，将被应用在2023年推出的新品SSD，除此之外，美光科技还公布了2YY层、3XX层和4XX层NAND技术的计划。
与此同时，现阶段三星和美光都已经大规模生产各自的176层3D NAND闪存芯片。
作为它们的竞争对手之一，西部数据也不甘示弱，在近日的投资者日活动中透露与合作伙伴铠侠联合开发2XX层NAND技术的计划。他们的第六代162层的BICS 3D NAND技术也将是今年的制造中的。
芯片制造商加入NAND闪存战争，或推动QLC SSD应用
2022-05-20 17:03
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