- 全部
- 默认排序
近日,中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺,改善晶体结晶质量,成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶体,并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片,实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。据了解,碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,
芯片切片分析是一种常用的技术,用于研究芯片内部结构和特性。通过对芯片进行切片并观察切片表面的结构,可以获取有关芯片材料、层次、元件结构等方面的信息。以下是关于芯片切片分析的一般步骤:芯片切片分析步骤:样品准备:首先,需要准备要进行切片分析的
作为组成芯片的基本元件,晶体管的尺寸和数量多少将决定着芯片的性能大小,为了尽可能达到芯片,晶体管早已接近物理极限,其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。据媒体报道,中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究员狄增峰所带领的团队,成功开发出
全站最新内容推荐
- 1沪电股份调研纪要:Rubin平台已通过认证,CoWoP+mSAP双引擎卡位AI PCB
- 2铜箔全线涨价!加工费上调1500-5000元,HVLP高端铜箔供不应求
- 3电子布涨价升级!7628累计涨近50%,中国巨石44亿扩产卡位高端
- 4PCB龙头集体扩产高端产能:沪电176亿、鹏鼎110亿,AI产线不可替代
- 5PCB概念股批量涨停!生益电子20cm封板,产业链提价叠加AI需求共振
- 6PCB电源的EMI整改,别再只会加磁珠了
- 7一文介绍:定序器/监控器芯片ADM6840
- 8一文介绍:电机刹车驱动器MAX22215
- 9一文介绍:低功耗16位模数转换器AD4113
- 10入门级MCU选STM32C5还是F4,别只看主频和价格

扫码关注















