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在IC封装的分析中,为了能够提取到更加趋近于真实测量结果的S参数(或者其他参数),需要在封装体上添加假性球体和参考层,下面来讲解在Sigrity™ PowerSI®工具中添加假性球体和参考层的方法。

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如何在PowerSI中为封装体上添加假性球体和参考层图文教程

Power SI 封装体和PCB焊球连接后进行执行的操作实例和设置办法

Power SI 封装体和PCB焊球连接后进行执行的操作实例和设置办法

在IC封装的分析中,为了能够提取到更加趋近于真实测量结果的参数S参数(或者其他参数),需要在封装体上添加假性球体和参考层,下面来讲解添加假性球体和参考层的方法。

Power SI里面封装体上添加假性球体和参考层的方法

FC封装的一般工艺流程如下:1)将带有芯片凸点的7FC芯片对齐贴装在底部芯片或基板上;2)布局完成后,通过回流焊或热压键合工艺进行键合;3)互连形成后,在芯片周围滴涂底填料,底填料会通过毛细作用填满芯片与基板之间的间隙;4)填充完成后,将组装件放在固化炉中进行底填料的固化。得到的FC封装体的一般结构

​倒装芯片凸点工艺技术

做完芯片之后还是要做成器件才能真正了解芯片性能,对于电性能芯片就面临如何焊接的问题。芯片到封装体的焊接是指半导体芯片与载体(封装壳体或基片)之间形成牢固的、传导性或者绝缘性的连接方法。焊接层除了为器件提供机械连接和电连接之外,还需为器件提供良好的散热通道。 芯片导电的焊接方式大概有以下几种:

什么是共晶焊和回流焊