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激光器的外延层设计是半导体激光器性能优化的核心环节,需综合考虑材料选择、能带结构、光学限制、载流子限制等因素。例如一个典型外延层结构(以边发射InGaAsP/InP激光器为例)从衬底向上依次生长:衬底(Substrate):如InP(用于长波长)、GaAs(用于短波长)。缓冲层(Buf
激光器的外延层设计是半导体激光器性能优化的核心环节,需综合考虑材料选择、能带结构、光学限制、载流子限制等因素。例如一个典型外延层结构(以边发射InGaAsP/InP激光器为例)从衬底向上依次生长:衬底(Substrate):如InP(用于长波长)、GaAs(用于短波长)。缓冲层(Buf