自从中美贸易战的重点集聚在半导体芯片行业上,为推进全面国产化,摆脱对他国企业的依赖,我国芯片产业迎来了高速发展期,从技术竞争的角度来看,光电芯片被认为是与海外差距最小的芯片技术之一,因此被寄予了“弯道超车”的希望。
据媒体报道,近日我国科学家在国际顶级学术期刊《自然》上发表了关于光电芯片的最新研究文章,他们成功通过实验首次得到纳米级光雕刻三维结构,实现了在下一代光电芯片制造领域的重大突破!
据了解,该研究团队是由南京大学的张勇、肖敏、祝世宁领衔组成的,他们查阅国内外相关资料,大胆性的提出了一种新型的“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术,可将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部,通过控制激光移动的方向,在晶体内部形成有效电场,实现三维结构的直写和擦除。
该研究的成功,打破了传统飞秒激光的光衍射机械,将光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸,从传统的1微米量级(相当于头发丝的五十分之一),首次缩小到纳米级,达到30纳米,大幅提高了加工精度、
除此之外,该项研究将推动光电芯片制造的新赛道,有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备,若能应用在实际上,在5G/6G通讯、光计算、人工智能等新兴领域上的潜力无穷。