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自从中美贸易战的重点集聚在半导体芯片行业上，为推进全面国产化，摆脱对他国企业的依赖，我国芯片产业迎来了高速发展期，从技术竞争的角度来看，光电芯片被认为是与海外差距最小的芯片技术之一，因此被寄予了“弯道超车”的希望。
据媒体报道，近日我国科学家在国际顶级学术期刊《自然》上发表了关于光电芯片的最新研究文章，他们成功通过实验首次得到纳米级光雕刻三维结构，实现了在下一代光电芯片制造领域的重大突破！
据了解，该研究团队是由南京大学的张勇、肖敏、祝世宁领衔组成的，他们查阅国内外相关资料，大胆性的提出了一种新型的“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术，可将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部，通过控制激光移动的方向，在晶体内部形成有效电场，实现三维结构的直写和擦除。
该研究的成功，打破了传统飞秒激光的光衍射机械，将光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸，从传统的1微米量级（相当于头发丝的五十分之一），首次缩小到纳米级，达到30纳米，大幅提高了加工精度、
除此之外，该项研究将推动光电芯片制造的新赛道，有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备，若能应用在实际上，在5G/6G通讯、光计算、人工智能等新兴领域上的潜力无穷。
