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光刻机是半导体产品制作中的核心设备之一，EUV光刻机更是芯片制作的核心设备，全球中只有阿斯麦尔（ASML）公司能研发、生产、出口，制作EUV光刻机难度非常大，需要集齐多国零件和多种工艺技术，中国美国欧洲等多个国家投入资金研发EUV工控机都是铩羽而归。
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光刻机的结构和技术非常复杂，尤其是光刻机的分辨率，而决定它的因素主要有常熟K、光源波长及物镜数值孔径。波长越短，光刻机分辨率越高，目前ASML的EUV光刻机使用的光源是极紫外广EUV（波长为13.5nm），作用是制造7nm以下的先进工艺，是台积电三星英特尔等多家公司常用的光刻机。
据外媒报道，俄罗斯计划开发全新的EUV光刻机，采用X射线技术，这样就能无需光掩模可生产芯片，减少繁琐环节。
据悉，负责研发EUV光刻机是由俄罗斯莫斯科电子技术学院（MIET），MIET已接下俄罗斯贸工部的6.7亿卢布（约5100万元人民币），声称要打造达到EUV级别的光刻机。
虽说是打造EUV级别的光刻机，但技术原理不同，据MIET负责人说法，它们研发的是基于同步加速器和/或等离子体源的无掩模X射线光刻机。
X射线光刻机使用的是X射线，波长介于0.01nm到10nm之间，比EUV极紫外光短，故而光刻机分辨率极高，此外X射线光刻机无需光掩模，可直接写入光刻，这将减少繁琐环节，大大节省了金钱时间。
正是由于这两个优势，俄罗斯当地媒体宣传声称要研发的X射线光刻机是全球都没有的光刻机，连ASML都做不到。
从相关资料来看，全球确实是没有能达到规模生产的X射线光刻机，只是不能否认的是，中国、美国、欧洲等也尝试过研发X射线光刻机，只是生产效率极低，无法达到量产芯片的规模。
有人看好俄罗斯，也有人不看好俄罗斯，前者在于俄罗斯地广人多，物资丰富，军事技术极为优越，在X射线机等离子技术上颇有建树。当然俄罗斯只用6.7亿卢布短时间内研发X射线光刻机，可以有些异想天开，毕竟ASML研发EUV光刻机投入资金已超数百亿美元，加上集齐多种来自各个国家的零件组装和重要技术。
但我们可以期待俄罗斯在新型光刻机上的研发，或许来自北国的人真的能为我们点燃山多拉之灯呢。
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