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上篇文章我们讨论了，关于二极管的分类，结果评论区急求下一篇文章，本次我们将二极管的第二篇文章写出来。
我们说过，二极管不同于其电阻、电容、电感或者晶振。其需要一个门槛电压，其中二极管有俩种形式一种是未加电压的情况，这种未加电压与加了电压未到门槛电压不一样。
首先我们来看未加二极管的偏置电压，首先需要连接如下如图的电路：
即VD电压为0，其中VD的D代表二极管，也就是说二极管两端的电压为0 ，此时二极管处于一个相对平衡的阶段，即扩散电流与漂移电流均为平衡。
即为TF-IS=0
其中IF：扩散电流
IS：漂移电流
那么二极管处于一个静态的工作状态，即二极管的静态电流为0，即为ID为0.
其中空乏区会形成正离子和负离子形成的电位差，这个电位差记作VT。一般叫做内建电压、切入电压。
这个电压值就是阻碍二极管导通的电压值，继而可以叫做二极管的管压降或二极管的损耗电压。
那么这个损耗电压会根据区材料的性质不同而不同，其中硅二极管导通电压为0.5-0.7V、锗二极管为0.2-0.3V、砷化镓为1.1-1.2V。
那么二极管就算导通，也需要其导通的方式，继而二极管分为正向导通与反向导通。
我们先说正向偏置：
其电路图如图所示：
正向偏置即为P型半导体接正极，N型半导体接负极，此时二极管成为正向偏置，又叫做顺向偏置电压。
二极管的阳极侧施加正电压，阴极侧施加负电压，这样就称为正向偏置，所加电压为正向偏置。如此N型半导体被注入电子，P型半导体被注入空穴。这样一来，让多数载流子过剩，耗尽层缩小、消灭，正负载流子在PN接合部附近结合并消灭。整体来看，电子从阴极流向阳极（电流则是由阳极流向阴极）。在这个区域，电流随着偏置的增加也急遽地增加。伴随着电子与空穴的再结合，两者所带有的能量转变为热（和光）的形式被放出。能让正向电流通过的必要电压被称为开启电压，特定正向电流下二极管两端的电压称为正向压降。
而反向偏置则如图所示：
在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为反向偏置。这种情况下，因为N型区域被注入空穴，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的耗尽层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。
实际的器件虽然处于反向偏置状态，也会有微小的反向电流（饱和电流、漏电流、漂移电流）通过。当反向偏置持续增加时，还会发生隧道击穿或雪崩击穿或崩溃，发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的（反向）电压被称为击穿电压。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为击穿区（崩溃区）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用
其中反向偏置的特性图如图所示：
那么这就是关于二极管的正向偏置与反向偏置的电压及特性，其实二极管还有一种分析方法即为二极管伏安特性曲线分析。那么大家对于二极管的伏安曲线了解多少呢？请听下回分析
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