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2、VDD_NPU的电源在外围换层时，要尽可能的多打电源过孔（7个以上0.5*0.3mm的过孔），降低换层过孔带来的压降；去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致，否则会大大降低电容作用。
3、如图1所示，原理图上靠 RK3588的VDD_NPU电源管脚绿线以内的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面，电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置，如图2所示。其余的去耦电容尽量摆放在RK3588芯片附近，并需要摆放在电源分割来源的路径上。
4、RK3588芯片VDD_NPU的电源管脚，每个管脚就近有一个对应过孔，并且顶层走“井”字形，交叉连接，如图3所示 ，建议走线线宽10mil。
图1 RK3588芯片VDD_NPU的原理图电源管脚去耦电容
图2 电源管脚背面去耦电容放置
图3 VDD_NPU电源管脚“井”字形链接
5、VDD_NPU电源在NPU区域线宽不得小于300mil，外围区域宽度不小于500mil，尽量采用覆铜方式，降低走线带来的压降（其它信号换层过孔请不要随意放置，必须规则放置，尽量腾出空间走电源，也有利于地层的覆铜，如图4）
6、电源过孔40mil范围(过孔中心到过孔中心间距)内的GND过孔数量，建议≧9个。如图5所示。
图4 VDD_NPU电源层覆铜情况
图5 NPU电源地过孔放置图
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