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Latch up效应是CMOS电路中常见的故障之一，但很多小白遇见这种问题都不知道如何解决，所以今天本文主要讲讲如何消除Latch up效应，希望对小伙伴们有所帮助。
Latch up简单来说，是指在CMOS晶片中，在电源Power VCC和地线GND（VSS）之间因为寄生的PNP和NPN双极性BJT互相影响而产生的低阻抗通路。
一般来说，很多工程师是通过下列方法来消除Latch up效应：
1、版图设计时
①为减小寄生电阻Rs和Rw，版图设计时采用双阱工艺，多增加电源和地接触孔数目，加粗电源线和地线，对接触进行合理规划布局，减小有害的电位梯度；
②避免source和drain的正向偏压；
③使用Guard ring: P+ ring环绕 nmos并接GND；N+ring 环绕pmos并接VDD，一方面可以降低Rwell和 Rsub的阻值，另一方面可阻止载流子到达BJT的基极。如果可能，可再增加两圈ring；
④4Substrate contact和well contact应尽量靠近source，以降低Rwell和Rsub的阻值；
⑤使nmos尽量靠近GND，pmos尽量靠近VDD，保持足够的距离在pmos和-nmos之间以降低引发SCR的可能；
⑥除在I/O处需采取防Latch up的措施外，凡接I/O的内部 mos也应圈guard ring；
⑦I/O处尽量不使用pmos(nwell)。
2、工艺设计时
降低寄生三极管的电流放大倍数：以N阱CMOS为例，为降低两晶体管的放大倍数，有效提高抗自锁的能力，注意扩散浓度的控制。为减小寄生PNP管的寄生电阻 Rs，可在高浓度硅上外延低浓度硅作为衬底，抑制自锁效应。工艺上采用深阱扩散增加基区宽度可以有效降低寄生NPN管的放大倍数；
具体应用时：使用时尽量避免各种串扰的引入，注意输出电流不易过大。
器件外部的保护措施：低频时加限流电阻（使电源电流<30mA)·尽量减小电路中的电容值。(一般C<0.01uF)
