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随着微电子技术和信息技术的日益成熟，未处理日益复杂的数据和愈发严格的性能要求，芯片内嵌的晶体管数量翻倍增长，现在的芯片单个封装可以放入一千亿个晶体管，然而Intel要想实现更多。
近日，Intel被曝出要将芯片内部晶体管密度再翻10倍，达到万亿级，该消息是由Intel中国研究院院长宋继强透露出的，从2023年到2030年，晶体管密度要在8年时间里翻十倍，即实现2的3次方的提升。
虽然这个目标相当激进，但Intel很有信息实现，宋继强表示，若要实现单个封装中集成一万亿个晶体管的芯片，可从良法米娜下手，一方面是，继续依靠晶体管微缩，如用厚度仅仅3个原子的超薄2D材料制作成更高效的GAA晶体管。另一方面是从3D封装技术入手，进一步提升整个涉笔中的晶体管总量。
按照Intel的路线规划图，Intel 4（即7nm工艺）预计将在2022年年底进入试产阶段，未来将用于第14代的Meteor Lake处理器。2023年下班年，将进入Intel 3（3nm）制程技术，预计第一批产品将在2024上半年登场。
据了解，Intel创始人戈登·摩尔曾提出摩尔定律，其核心内容为：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到24个月便会增加一倍。
虽然随着晶体管内嵌晶体管数量越多，难度指数被上升，也有很多人对“摩尔定律”的可行性抱有怀疑态度，但由此来看，Intel仍是摩尔定律的坚定支持者。
