电子工程师面试会问到的四大问题（上）-凡亿课堂

随着微电子技术和信息技术的高速发展，越来越多的企业开始入局半导体领域，和半导体息息相关的电子工程师岗位也开始成为当下最火的高薪工作首选，这也吸引很多人去选择电子工程师，今天我们将分享四个电子工程师面试会问到的问题，希望对小伙伴们有所帮助。

1、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？

根据掺入的杂质不同，杂质半导体可以分为N型和P型两大类。N型半导体中掺入的杂质为磷等五价元素，磷原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，多余的第五个价电子很容易摆脱磷原子核的束缚而成为自由电子，于是半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子成为多数载流子，空穴则成为少数载流子。P型半导体中掺入的杂质为硼或其他三价，硼原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，将因缺少一个价电子而形空穴，于是半导体中的空穴数日大量增加，空穴成为多数载流子，而自由电子则成为少数载流子。

2、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？

闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up)是半导体器件失效的主要原因之一-。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS (电过载)和器件损坏。

由于文章篇幅所限，将此文分为上下两篇，欲看下篇可点击右侧链接《电子工程师面试会问到的四大问题（下）》。

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