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瑞萨电子推出业界超高性能80V双向升降压和两相降压直流DC/DC控制器-ISL81801双向升降压和ISL81802两相降压控制器，可为48V电信、数据中心及工业应用可靠供电提供所需额外电压裕量。
POLDC-DC转换器便是紧挨着LSI芯片所配置，能够提供接近负载的分布式电源。POL电源在靠近负载处单独放置电源调节器（线性稳压器或DC-DC转换器），解决了这些高性能半导体器件所面临的高峰值电流、低噪声裕量等设计挑战。
POLDC-DC转换器便是紧挨着LSI芯片所配置，能够提供接近负载的分布式电源。POL电源在靠近负载处单独放置电源调节器（线性稳压器或DC-DC转换器），解决了这些高性能半导体器件所面临的高峰值电流、低噪声裕量等设计挑战。
此处不满足载流，应该铺铜 处理，8/16的孔两个过孔过1A2.电感所在层的内部需要挖空处理3.输出打孔要打在滤波电容的后面4.此处尽量加粗到15mil，保证裕量5.可以在底层铺一块整版地铜以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业
还有地网络并未处理，还有飞线：对应器件就近管脚放置：过孔数量根据载流大小计算下个数，再加2-4个过孔的裕量就可以了：底层器件尽量整体中心对齐放置：以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或
电池供电走线需要加粗，满足载流2.晶振需要包地处理3.器件摆放尽量中心对齐4.差分走线需要优化一下5.电源走线尽量加粗到20mil，满足载流，留有裕量6.RS232的升压电容走线需要加粗处理以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作
1、描述：汽车IGBT分立器件AIKQ200N75CP2是一款EDT2 IGBT，带有一个共同封装的二极管，采用TO247PLUS封装。750V EDT技术通过支持高达470V的电池电压和因过压裕量增加而实现的安全快速开关，显著提高了高电压
注意电源输出打孔需要打在滤波电容后面，后期自己调整一下布局2.存在开路这个封装上面有填充，需要自己去库里面删除，在更新到pcb上3.此处需要加宽一下铜皮宽度，满足载流，留出裕量4.反馈信号走10mil即可5.电源输入打孔需要打在滤波电容前面
注意确定此处是否满足载流后期自己加宽一下铜皮，留出裕量2.反馈信号需要加粗到10mil3.电感下面尽量不要放置器件和走线，后期自己调整一下布局4.电源存在多处开路5.除了散热过孔，其他的都需要盖油处理6.过孔尺寸尽量用常规过孔，pcb上不要
注意铜皮形状尽量钝角，不要直角以及尖角，类似情况自检修改下：走线也不能出现直角：电感内部的铜皮挖空处理：过孔按照对应的电流大小计算数量加2 或者4个裕量就行了：差分进过孔也是需要耦合连接的，优化下：注意下等长线之间需要满足3W间距：避免高速
