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近日，中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅（SiC）晶体，并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片，实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。据了解，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，
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芯片切片分析是一种常用的技术，用于研究芯片内部结构和特性。通过对芯片进行切片并观察切片表面的结构，可以获取有关芯片材料、层次、元件结构等方面的信息。以下是关于芯片切片分析的一般步骤：芯片切片分析步骤：样品准备：首先，需要准备要进行切片分析的
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作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸和数量多少将决定着芯片的性能大小，为了尽可能达到芯片，晶体管早已接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。据媒体报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究员狄增峰所带领的团队，成功开发出
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