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自举电容是BUCK电路中驱动高侧MOSFET的核心元件，其容量不足会导致驱动电压下降、输出电压波动、UVLO保护触发及高频振铃等问题。1、计算最小电容值根据高侧MOSFET的栅极电荷（Qg）、开关频率（fSW）及允许的电压降（ΔVBOOT）
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H桥的上管导通后，驱动芯片的自举电容升为24V，紧接着电容要放电，会不会放电至12V，栅极和源极电压几乎一样，导致上管又关断了？
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自举电容是BUCK电路中驱动高侧MOSFET的核心元件，其容量不足会导致驱动电压下降、输出电压波动、UVLO保护触发及高频振铃等问题。1、计算最小电容值根据高侧MOSFET的栅极电荷（Qg）、开关频率（fSW）及允许的电压降（ΔVBOOT）
H桥的上管导通后，驱动芯片的自举电容升为24V，紧接着电容要放电，会不会放电至12V，栅极和源极电压几乎一样，导致上管又关断了？
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