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模块化电路设计有两方面的含义,其一是指电路设计功率器件的模块化,其二是指电源单元的模块化。我们常见的元器件器件模块,含有一单元、两单元、六单元直至七元,包括开关器件和与之反并联的续流二极管,实质上都属于“标准”功率模块(SPM)。近年,有些公司把开关器件的驱动保护电路也装到功率模块中去,构成了“智能化”功率模块(IPM),不但缩小了整机的体积,更方便了整机的电路设计制造。实际上,由于频率的不断提高,致使引线寄生电感、寄生电容的影响愈加严重,对器件造成更大的电应力(表现为过电压、过电流毛刺)。为了
电路设计初始阶段原理图
电路原理图设计阶段是一个产品设计的开始阶段，也是折腾时间最长的阶段，可以说是和PCB设计、修改时间相当的阶段。通过不断的修改电路原理图，最终确定原理图方案，达到产品的定型。因此，电路原理图可以说是一个电子产品的构架和灵魂. 在原理图电路设计中，要做到标号统一，通常表现为标号位置统一，显示信息统一。特别的，电阻、电容、电感等元件，每一个类型的元件更要标号统一。 一般来讲，进入SCH设计环境之后，需要经过以下几个步骤才算完成原理图的设计：
可控硅保护电路设计方法
可控硅的保护电路设计，大致可以分为两种情况：一种是在适当的地方安装保护器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路，检测设备的输出电压或输入电流，当输出电压或输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态，从而抑制过电压或过电流的数值。 1. 电路设计过流保护 可控硅设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如整流可控硅损坏, 触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥可控硅损坏类较为严重,
器件寿终正寝的原因
器件的"寿终正寝"是一种源于物理或化学变化的累积性衰退效应。大家都知道，电解电容和某些类型的薄膜电容"终有一死"，原因是在微量杂质（氧气等）和电压力的共同作用下，其电介质会发生化学反应。集成电路结构遵循摩尔定律，变得越来越小，正常工作温度下的掺杂物迁移导致器件在数十年（而非原来的数百年）内失效的风险在提高。另外，磁致伸缩引发的疲劳会使电感发生机械疲劳，这是一种广为人知的效应。某些类型的电阻材料会在空气中缓慢氧化，当空气变得更为潮湿时，氧化速度会加快。同样，没有人会期望电池永远有效。
