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GaN芯片工艺
GaN作为第三代半导体的典范正在被广泛使用，就连电梯间也能看到快充品牌直接拿GaN做广告语了。GaN做激光或者LED可以发出蓝光，也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用
腔面钝化之术
LD激光器，特别是大功率激光器，由于出光面在侧面，有源区的厚度很薄，宽度很窄，因此单位面积的光功率很大。当工作电流超过一个值时，功率可能突然消失，LD也就挂了。激光器的突然失效除了芯片内部缺陷扩展至腔面引起的腔面损伤引起外，主要受到芯片腔面本身的环境气氛的影响，产生的表面界面态引起的腔面光吸收成为光
激光器的漏电流
漏电流，听名字就知道是个比较负能量的一个东西。在半导体领域，二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止。在承受反压的时候，会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小，而且反压越高，漏电流越大，温度越高，漏电流越大。大的漏电流会带来较大的损耗，特别在高压应用场合。产生的原因:从半导体材料
激光芯片的可靠性是一项十分关键的指标，无论是小功率的激光笔还是要求较高的激光通信芯片，都需要进行芯片的老化和可靠性的测试。 相比于传统的电子类的芯片，激光的测试比较复杂，牵涉到光、电的测量，也要考虑封装形式的区别。老化试验是作为芯片的一个检测手段，在研发初期，也可以通过芯片老
可见光激光器的应用是十分广泛的，甚至有人说可见激光是比LED更棒的光源。但是其发展的主要困难是如何选择合适的有源层、限制层材料以及对应的生长工艺。 我们知道He-Ne激光器632.8nm的激光器用途很广泛。氦氖激光器是以中性原子气体氦和氖作为工作物质的气体激光器。以连续激励方式输出连续
LD芯片的工艺制作流程
脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程：这个流程算是LD最基础的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后就是切片、测试、封装。但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要
晶圆的划片切割手段
晶圆常用的切割手段有很多，根据不同的材质和芯片设计采用不同的方式。常见的有砂轮切割、激光切割、金刚刀划片劈裂、还有隐形切割等等。其中激光切割应用是越来越广，激光切割也分为激光半划、激光全划、激光隐形划切和异形芯片的划切等工艺方法的特点。 1 激光半划1.1 激光开槽 砂轮切割随着芯片特征尺寸的不
Vcsel芯片和制作流程
但凡说到激光器，人们必须提及Vcsel，也就是垂直腔面发射激光器：Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser。2017年苹果公司iPhone X采用vcsel作为3D感应技术，用于Proximity sensor和 Face ID模块，彻底把Vcsel炒热了。之后发
激光器芯片的WPE思考
WPE在LD芯片中指电光转换效率。 WPE=出光功率/工作电流/工作电压。因此WPE越大越好，说明电转成光的效率越高。额外的部分电能，大部分以热能的形式释放。WPE高的话，转换的热也会变少。 An AlGaInP/GaAs red LD suffers from low wall pl
激光加速器是一种利用激光产生的强烈电磁场来加速带电粒子的装置。与传统的粒子加速器相比，激光加速器有望大幅缩小设备尺寸，同时能够产生更高能量的粒子束。01激光加速器组成激光加速器主要由以下几个部分组成:激光源:产生高强度、超短脉冲的激光,是激
