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GaN芯片工艺
GaN作为第三代半导体的典范正在被广泛使用，就连电梯间也能看到快充品牌直接拿GaN做广告语了。GaN做激光或者LED可以发出蓝光，也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用
共射极放大器是一种常用的晶体管放大电路，也是最常见的三种放大器配置之一（共射、共基和共集）。它是指输入信号施加在晶体管的发射极（E）上，输出信号通过晶体管的集电极（C）获取。01共射极放大器组成共射极放大器的组成包括晶体管、输入电容、负载电
产品简介CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT是效率最高， 功率密度最高， 质量最佳的增强型功率晶体管。增强模式概念提供了快速的开启和关闭速度， 以及在芯片或封装级别上更好的集成路径。 CoolGaN™可实现更简单的半
NPN型晶体管是一种三极管，由三个不同掺杂的半导体材料组成。它是最常见的晶体管类型之一，用于放大和开关电路中。NPN型晶体管具有很高的电流放大倍数和较低的输入电流要求，因此在电子电路中得到广泛应用。NPN型晶体管基本结构NPN型晶体管的基本
如果要评选全球最强AI芯片，可能很多人想到的是英伟达（NVIDIA），或者AMD等，然而一个芯片的发布，却让所有人闭嘴了，它就是WSE-3。近日，美国芯片初创公司Cerebras Systems推出了全球最强的第三代晶圆级AI加速芯片“WS
电力晶体管（Power Transistor）是一种用于控制大电流和高功率的半导体器件。它是一种晶体管的变种，具有较高的电流和功率处理能力，广泛应用于功率放大、开关控制和电源调节等领域。01电力晶体管基本结构电力晶体管由三个不同掺杂的P型和
FET放大电路的分析
前面学了六种场效应管，了解了结构和伏安特性，模拟电路利用它们的恒流区构成共源、共漏和共栅的放大电路，数字电路利用它们的可变电阻区和截止区制成各种开关电路。场效应管放大电路的分析和晶体三极管放大电路分析是相同的，都是遵循“先静态，后动态”的原则。求解场效应管放大电路时可以利用已有的求解晶体三极管放大电
薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）是一种用于电子设备中驱动液晶显示屏的晶体管技术。它是一种薄膜电晶体管，与传统的晶体管相比，具有更小的体积、更低的功耗和更高的开关频率。薄膜晶体管广泛应用于平板电视、电脑显示器、手
我们常把晶振比喻为数字电路的心脏，这是因为，数字电路的所有工作都离不开时钟信号，晶振直接控制着整个系统，若晶振不运作那么整个系统也就瘫痪了，所以晶振是决定了数字电路开始工作的先决条件。 我们常说的晶振，是石英晶体振荡器和石英晶体谐振器两种，他们都是利用石英晶体的压电效应制作而成。在石英晶体的两个电
在电子产品设计中，很容易碰见大佬说不要在PCB板边缘放晶振，晶振，也就是晶体振荡器，作为提供稳定时钟信号的关键元件，那么为什么不能放在PCB板边缘？1、机械应力与振动风险PCB板边缘是设备与外界连接和固定的关键区域，如插槽、连接器等都位于此
