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这里分享几个带开关电源产品的EMI预防和整改的小妙招。a1MHz以内以差模干扰为主，增大X电容就可解决。b1MHz～5MHz差模共模混合，采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决。c5MHz～10MHz以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。d10MHz～25MHz对于外壳接地
一、SMPS的启动浪涌电流开关电流的浪涌电流是指电源开启瞬间流入供电设备的峰值电流，如下所示，由于充电器的输入滤波电容快速充电，峰值电流远大于稳态输入电流。电源应限制交流开关、整流桥、保险丝和EMI滤波器装置可承受的浪涌水平，反复切换回路，交流输入电压不应损坏电源或者导致保险丝熔断。除此之外，浪涌电
点击上方名片关注了解更多Buck电路电感选型方法开关电源从储能器件类型可以分为电感型的和电容型的。针对电感型的无论是Buck还是Boost，无论是升压降压或其他类型，电感在整个电路里起着非常重要的的作用。主要作用为储能并传递能量，储能的同时会对波形进行整形。»如下图示:降压转换器由DC输入电源Vin
今天给大家分享的是：几种抑制开关电源启动浪涌电流的方法一、SMPS的启动浪涌电流开关电流的浪涌电流是指电源开启瞬间流入供电设备的峰值电流，如下所示，由于充电器的输入滤波电容快速充电，峰值电流远大于稳态输入电流。电源应限制交流开关、整流桥、保险丝和EMI滤波器装置可承受的浪涌水平，反复切换回路，交流输
MOS管在电子电路中扮演着重要角色，但其发热问题一直备受关注。所以今天我们来谈谈MOS管为什么会有发热问题！1、线性工作状态电路设计不当，使MOS管长时间工作在线性区域而非开关状态，导致功率损耗增大，发热严重。2、开关不完全导通N-MOS的
晶振的构造及工作原理
咱搞硬件的，应该都使用过晶振，上次写开关电源环路的零极点的时候，忽然想到晶振是自己起振的，如果从环路的角度看，应该就是利用的环路不稳定的特性，产生自激振荡。 除此之外，我又想到下面这些问题： 那么我们使用晶体的时候，电路的环路的传递函数是怎么样的呢 为什么只有晶振的固有频率
在开关变压器中，极限伏秒容量VTmax参数，是确保开关电源稳定运行的关键指标之一，其重要性不亚于晶体管的最大集电极电压BVceo参数。但有很多小白不太清楚这个参数，所以开课讲讲。1、衡量承受能力伏秒容量直接反映了开关变压器在电压幅度与时间长
雷击浪涌抗扰度实验旨在通过模拟电力系统开关瞬态和雷电瞬态产生的浪涌冲击，评估电气和电子设备在遭受此类冲击时的性能，确保设备在实际运行中的可靠性和稳定性。1、雷击浪涌抗扰度实验目的是什么？建立共同基准：为电气和电子设备提供一个统一的测试标准，
在讨论电容性能时，我们总会听到“ESR越低，滤波效果越好”类似说法，这也导致许多小白不顾实际需求，使劲降低ESR，但这个观点是否正确？1、输入电容容量要求：大ESR要求：可适当降低，因为主要作用是耐压和吸收MOSFET开关脉冲。结论：在此场
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。也许，今天的便携式电
