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1、IKW30N65EL5XKSA1（650V）TRENCHSTOP™ 5 L5（低饱和5）IGBT处于开关频率范围的另一端，优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。针对50Hz至20kHz的低开关频率范围对L5进行了专门优化。L
单片机怎么控制继电器？
继电器作为电子系统中的重要元件，对电子工程师来说经常在各种电路系统中起到至关重要的作用，尤其是通过单片机来控制继电器，可实现各种复杂的电路开关操作和自动化控制，然而在实际操作中可能会出现差错，下面来看看如何合理通过单片机来控制继电器？1、选
1200V HighSpeed3 H3 IGBT系列是硬开关和软开关拓扑结构的理想选择。该系列为开关损耗树立了新标杆，推荐用于开关频率为20 kHz以上的拓扑。超短尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争对手低25%）是该系列的主要特性，将该系列
1、IKD10N60RFATMA1 600V RC快速驱动是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性，可节省高达60%的PCB空间。详细描述：IGBT
随着绿色能源、智能电子、智能制造等相关产业的快速发展，对电源工程师提出的要求愈发严格，这也导致很多工程师必须去主动学习新兴技能及知识点，增强自身优势，避免被行业淘汰，当下最火的电源技术莫过于反激电源。对电源工程师来说，反激电源在开关电源中的
同步BUCK降压变换器的基本结构包括PWM控制器、主开关管（上管，功率MOSFET）和续流管（下管，功率MOSFET）、以及输出电感和滤波电容。通常，PWM控制器内部带有直接驱动功率MOSFET的输出图腾柱，从而简化系统设计，如图1所示。 输出负载电流较小时，将2个功率MOSFET集成到IC内部，进
开关电源变压器设计
小编推荐值得一看的书单电力电子技术与新能源推荐书单合肥工业大学-张兴-高等电力电子技术-风力发电最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一SiC Power Module Packaging Design High Electrical and Therma[视频]逆变器Inverters, How
IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
1、LT8350单片式4开关同步降压-升压转换器采用Silent Switcher架构，尽可能地降低了EMI辐射，同时在高开关频率下提供高效率。该开关在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下，可以调节输出电压、输入或输出电流。专有的峰值电
