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MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息存在的问题。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同厚度的铁磁层及一层
MachXO2可编程逻辑器件(PLD)由6个超低功耗、瞬时通、非易失性PLD组成，可提供256至6864个查找表(lut)的密度。与MachXO PLD系列相比，MachXO2系列提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器，并减少了高达30
一、介绍STM32F031C4T6/STM32F031C6T6微控制器集成了高性能ARM Cortex-M0 32位RISC内核（最高工作频率为48MHz）、高速嵌入式存储器（高达16/32KB闪存和4KB SRAM）以及广泛的增强型外设和
STM32F3 高性能MCU 基于 ARM® Cortex™-M4 32 位 RISC 核心，工作频率高达 72 MHz ，并嵌入了浮点单元(FPU)、存储器保护单元(MPU)和嵌入式跟踪宏单元(ETM)。该系列内含高速嵌入式存储器（高达
Stratix V FPGA：为带宽而打造Stratix V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺进行制造，提供110万逻辑单元(LE)、53-Mbits嵌入式存储器、3,680个18x18乘法器，以及工作在业界最高速率28
概述Stratix® V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺进行制造，提供110万逻辑单元(LE)、53-Mbits嵌入式存储器、3,680个18x18乘法器，以及工作在业界最高速率28 Gbps的集成收发器。器件还采用了
