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湿法化学腐蚀
湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。正常一些的腐蚀Sio2等氧化层工艺，也有许多腐蚀铜、Al、Cr、Ni等金属层工艺。有时还需要做一些晶圆的返工程序，如何配置王水、碘化物溶液等。相对于真空设备，成形稳定的工艺参数来讲，化学间才是考验芯片工程师的主要场地。
NAND闪存
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)
随着半导体芯片的制造即将达到摩尔定律的物理极限，很多公司及机构都在研究如何让半导体产生更加优秀的性能。在许多方案中，石墨烯备受关注。石墨烯（Graphene）是碳的同素异形体，碳原子以sp²杂化键合形成单层六边形蜂窝晶格石墨烯，只有一个原子
MLCC（多层陶瓷电容）是一种广泛应用于电子设备的元件，但在使用过程中经常会发生啸叫现象，如何针对这个问题进行解决？本文将探讨这个问题，希望对小伙伴们有所帮助。一般来说，MLCC电容啸叫原因是由于其内部的电场和机械应力之间的互相作用所致，当
EMC的PCB设计技术
除了元器件的选择和电路设计之外，良好的印制电路板（PCB）设计在电磁兼容性中也是一个非常重要的因素。PCB EMC设计的关键，是尽可能减小回流面积，让回流路径按照设计的方向流动。最常见返回电流问题来自于参考平面的裂缝、变换参考平面层、以及流经连接器的信号。跨接电容器或是去耦合电容器可能可以解决一些问
共模扼流线圈的原理
要理解共模扼流线圈，先要理解共模和差模的概念（一）共模和差模的概念通常，基板上电器电路中从某处流出的电流会通过符合到达别的电路，经由基板上的其他路线六回来。（很多时候返回路线为基板的接地层）这即为差模流动方式。图1 差模的传导路线另一方面，虽然不存在明确的架线，但却存在别的传导线路。因基板上的各配线
此处这里的信号直接走线包地处理就可以了：机壳地与电源地之间至少满足2MM间距：跨接器件两边多放置点地过孔：电感的每一层都需要挖空：铜皮不要尖角：电源 模块的反馈信号注意连接：这个反馈信号连接有误，要连接到最后输出的电容管脚上：等长线之间尽量
PCB设计，细节要牢记，技巧规范，别忘记。元件选择，要慎重权衡，性能优化，细节考虑。电路布局，尺寸精确，差分信号，清晰准确。地平面铺，阻抗匹配，多层堆叠，功耗降低。信号路径，长度平等，串扰减小，信噪比增。参考设计，莫忽略，静电防护，接地要密
由于文章篇幅限制，将此文分为上中下，欲看上下篇可点击右侧链接《不能错过！阻抗计算模型超全必看！（上）》。7、内层单端阻抗共面计算模型适用范围：内层单端共面阻抗计算。8、内层差分阻抗共面计算模型适用范围：内层差分共面阻抗计算。9、嵌入式单端阻
这里底层没有连接这里有不完全连接这里两个不同网络的地之间间距至少1.5mm以上这个时钟要包地处理以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码联系助教：https://item.taoba
