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可控硅保护电路设计方法
可控硅的保护电路设计，大致可以分为两种情况：一种是在适当的地方安装保护器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路，检测设备的输出电压或输入电流，当输出电压或输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态，从而抑制过电压或过电流的数值。 1. 电路设计过流保护 可控硅设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如整流可控硅损坏, 触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥可控硅损坏类较为严重,
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电子设备和通信系统设备的振荡器选择是影响系统性能的主要因素。目前振荡器有两种：1.石英晶体振荡器是由石英晶体的基本结构构成，和一个简单的振荡器电路。2.全硅MEMS谐振器，锁向电路，温度补偿，以及制造校准；MEMS硅晶振作为振荡源，需要PLL电路去校准频率制造公差和温度系数。MEMS振荡器更适合高振动环境，非关键定时应用以及信号噪声比不重要的应用。像高速通信，复杂调制方案，出色的信噪比之类的应用，KOAN晶体振荡器将优于MEMS振荡器。石英材质拥有低抖动，极高的Q值，以及出色的时间和温度稳定性。
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