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第三代半导体材料是指以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽
随着时代发展，目前已经发展之第三代半导体材料，第一代至第三代类型如下：第一代半导体材料以传统的硅（Si）和锗（Ge）为代表，是集成电路制造的基础，广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中，90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的；第
霍尔测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。然而在使用霍尔测试仪时，可能遇见鼓包现象，如何分析
NPN型三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。它是一种双极型晶体管，由三个区域组成：发射区、基区和集电区。01NPN型三极管基本结构NPN型三极管由一块P型半导体材料夹在两片N型半导体材料之间组成。其中，夹在中间的P型材料称为基
上期文章我们最后提到了半导体参数，之所以专门挑一篇文章来说，因为它确实比较重要，可以让我们明白当前各种半导体材料的优势与劣势的原因。 不仅如此，还可以让我们明白一些东西，特别是二极管和三极管的一些特性。其实这些问题，如果明白了下面参数的含义，那么也就理解得差不多了。 禁带宽度首先来看禁带宽度，这个参
DFB激光器芯片和FP激光器的区别 法布里-珀罗激光器(FP-LD)是最常见、最普通的半导体激光器，它最大的特点是激光器的谐振腔由半导体材料的两个解理面构成。目前光纤通信上采用的FP-LD的制作技术已经相当成熟，普遍采用双异质结多量子阱有源层、载流子与光分别限制的结构。FP芯片结构如上图。DF
开关二极管是一种用于控制电流流动的电子元件。它具有快速的开关速度和较小的开关损耗，能够在高频率下工作，广泛应用于电源、通信、计算机和各种电子设备中。01开关二极管基本结构开关二极管由两个半导体材料构成，一个是P型半导体，另一个是N型半导体。
半导体激光器是目前为止使用最多的光电子器件之一。随着技术的不断进步和器件量产化能力的提高， 现在能够应用到更多的领域中。半导体激光器是主要使用半导体材料作为工作物质一种的激光器，因为物质结构的不同，产生的激光也会不同。半导体激光器的特点就是体积小、寿命长，除了通信领域，现在也可以在雷达、测声、医疗中
DFB激光器芯片和FP激光器的区别 法布里-珀罗激光器(FP-LD)是最常见、最普通的半导体激光器，它最大的特点是激光器的谐振腔由半导体材料的两个解理面构成。目前光纤通信上采用的FP-LD的制作技术已经相当成熟，普遍采用双异质结多量子阱有源层、载流子与光分别限制的结构。FP芯片结构如上图。DF
众所周知，半导体大多数原材料属于不可再生能源，许多研究机构及科学家都在努力研发，如何从一定资源提取半导体原材料，降低其制造成本。近期，武汉科技大学宣布，该校材料学部“志同‘稻’合”学生团队采用低温镁热技术，成功从稻杆、稻壳中提取制作一种半导
