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霍尔测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。然而在使用霍尔测试仪时，可能遇见鼓包现象，如何分析
MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），也被称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超
一文读懂晶闸管工作原理
1、晶闸管（SCR）晶体闸流管简称晶闸管，也称为可控硅整流元件（SCR），是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上，晶闸管不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性，它只有导通和关断两种状态。晶闸管的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在
雪崩二极管是一种特殊的半导体器件，其独特的雪崩击穿特性在电路设计中有着广泛的应用，特别是在防止过电压方面表现出色，然而伴随这一特性而来的，是雪崩二极管在特定条件下产生的噪声问题，这是如何产生？1、雪崩击穿过程的不连续性雪崩二极管的噪声主要源
之前讲了电源的一次侧变压器的选型、磁芯选择及绕线方法，今天来说一下二次侧的设计。 首先选择好变压器后，我们就要选择功率半导体器件了，因为Vdss>Vin>382V，所以我们一般取常用的500V耐压，Id>Iin>2.75A，我们就取大于4A的器件，我个人采用的是IRF730器件。
在电子元器件，光明电阻是一种基于光电效应的半导体器件，凭借着其独特的对光强度变化的敏感性，是许多工程师不会陌生的光电器件之一。光敏电阻不仅能感知环境光纤的强弱，也能通过电信号的形式输出，为许多设备提供光检测功能。1、光敏电阻是什么？光敏电阻
