找到 “功率器件” 相关内容 条
  • 全部
  • 默认排序

1、ISZ113N10NM5LFATMA1OptiMOS™ 5线性FETISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDS

270 0 0
明佳达电子Mandy 2024-01-08 16:35:18
【功率器件】ISZ113N10NM5LFATMA1 100V、11.3mΩ,ISK018NE1LM7AULA1 15V、1.8mΩ N通道功率MOSFET

话说又是好几天没更新了,实在罪过。最近感觉不知道写啥好了,这几天我会理理清楚的。今天,我们简单地聊一聊功率器件的封装技术,顺便也再重复性地对功率器件做个介绍~01功率半导体器件功率半导体器件,也就是我们说的电力电子器件,是一种广泛用于电力电子装置的电能变换和控制电路方面的半导体元件。电力电子装置的基

功率器件分类&封装

随着电子科技的不断进步,无论是在消费电子、工业自动化或是汽车、医疗、航空航天等各个领域,都在追求更高的功率密度,以满足逐渐提升的电源需求。电源的发展必然是朝着小体积高效率方面演进,提高工作频率是必然趋式。半导体开关器件是开关电源的核心器件,它是实现电源功率转换的必要器件,20多年来,功率金属氧化物半

做开关电源开发是时候该储备一波氮化镓(GaN)功率器件设计知识了

单片机和大功率器件的地线要单独接地,以减小相互干扰。请问,怎么理解单独接地?

GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触,也可以形成非整流的接触,即欧姆接触。欧姆接触不产生明显的附加阻抗,而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。室温下n-GaN的电子亲和势为

GaN的欧姆接触实验

在制造高频功率器件时,通常会遇到击穿电压与集电极串联电阻对集电极材料电阻率要求矛盾的问题,这种情况下通过外延技术可以很好解决这类问题,那么很多人就好奇外延技术到底是什么?今天我们来谈谈外延。在单晶硅衬底上沿着原来的结晶轴方向延伸生长一层导电

半导体制造工艺技术手册:外延

前面我们聊了功率模块的绝缘衬底以及其表面金属化的那些事,希望对你们来说有些作用。今天我们继续来聊聊最底层的那块——功率模块的底板......底板作为绝缘沉底的机械支撑,一是吸收功率器件内部产生的热量,二来要将热量传递出去,必须具有较高的热导率才能有效地传递热量。并且需要具有较低的表面粗糙度,能与绝缘

功率模块Ⅲ ——底板

答:PCB厚度,一般指的是其标称厚度,即绝缘层加上铜箔的厚度。PCB厚度的选取应该依据结构、板尺寸大小以及所安装的元器件的重量选取。Ø 一般推荐的PCB厚度0.5mm;0.7mm;0.8mm;1mm;1.6mm;2.0mm;2.2等等;Ø 常规下双面金手指板厚1.5mm板厚,多层金手指板厚为1.0mm和1.6mm板厚;Ø 只装配集成电路、小功率晶体管、阻容等小功率器件,在没有较强负荷振动条件下,使用厚度为1.6mm板的尺寸在500mmX500mm之内;Ø 

2251 0 0
【电子概念100问】第017问 什么是PCB厚度,一般推荐的PCB厚度有哪些?

峰值电流模式控制方式在占空比大于50%的时候,系统容易进入不稳定的工作状态:次谐波震荡,就是功率器件的开关波形发生宽脉冲和窄脉冲交替出现的状态,特别是在电感较小情况下,这种现象更容易发生。次谐波震荡导致输出电压纹波突然增加,系统的动态响应变差。 1、次谐波震荡产生原因 BUCK变换器采用峰值电流模式

峰值电流模式次谐波震荡及斜坡补偿

功率半导体器件在工业、消费、军事等领域都有着广泛应用,具有很高的战略地位。功率半导体产品可以分为功率器件、电源管理 IC 和功率模组三大类。图:功率半导体产品分类来源:国金证券研究所随着下游电气化程度不断增加,功率半导体需求提升,器件应用范

1333 0 0
华秋 2022-11-11 11:45:30
功率半导体领域国产替代加速,华秋和MDD达成合作