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雪崩二极管是一种特殊的半导体器件，其独特的雪崩击穿特性在电路设计中有着广泛的应用，特别是在防止过电压方面表现出色，然而伴随这一特性而来的，是雪崩二极管在特定条件下产生的噪声问题，这是如何产生？1、雪崩击穿过程的不连续性雪崩二极管的噪声主要源
MOS管作为电子电力系统中的核心元件，其稳定性和可靠性是很多工程师的重点之重，其中SOA失效是MOS管常见的失效模式之一，主要由于超出其安全工作区域而导致的热损坏或电气击穿，那么如何预防？1、如何判断MOS管是否SOA失效？①监测温度：最直
pn结击穿现象半导体器件的pn结如图1所示。pn结反向偏置时，通过pn结的电流非常小。随着反向偏置电压的增加，一个非常大的电流开始流过一定的电压极限。这种现象被称为反向偏置击穿，发生pn结击穿的电压称为反向击穿电压。形成反偏pn结击穿的物理机制有两种：雪崩击穿和齐纳击穿。图1 半导体pn结示意图雪崩
在电子工程设计中，电阻器是使用频率极高的基础元件，直接决定着电路性能与稳定性，其中之一是压敏电阻器，工程师如何选购它？1. 标称电压的准确性标称电压必须精确匹配应用电路的过电压阈值，过高则无法有效保护，过低则易导致误动作或击穿。2. 最大连
电路保护主要可分为过压保护和过流保护，想要有高效可靠的电路，选择适当的电路保护元件是必不可少的。在电路保护元件中，GDT（气体放电管）、MOV（压敏电阻）和TVS（瞬态抑制二极管）是最为常见的，如何选？1、GDT（气体放电管）直流击穿电压：
在选择二极管时，需要考虑多个因素以确保其适用于特定的电路和应用。以下是一些关键的选型因素：1. 最大反向电压（VR)选择能够承受电路中最高反向电压的二极管，以避免在反向工作时发生击穿。2. 最大正向电流（IF)必须选择能承受电路中最大正向电
功率MOSFET基础
本文内容较长，希望了解MOSFET基本参数工程师，需要花一些时间和耐心。功率MOSFET基础内容表 1.基本器件结构2.击穿电压3.导通状态特性4.电容5.栅极电荷6.栅极电阻7.导通和关断8.体二极管正向电压9.体二极管反向恢复10.雪崩能力和额定11.dV/dt额定12.热阻特性13.功率耗散1
Pete Hulbert, 行业顾问Yuegang Zhao, Keithley 资深应用工程师概述对于研究半导体电荷捕获和退化行为来说，交流或脉冲应力对典型的应力测试是一个有用的补充。NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验包括应力/测量循环。所施加的应力电压通常是一
绝缘栅型场效应管（MOS管）是许多工程师不会陌生的关键元件之一，该元件因高输入阻抗特点被广泛应用，但这也让MOS管栅极极易击穿，所以有没有关键措施可防止其击穿？！1、保持栅源直流通路栅源间接电阻：在栅源两极之间接一个100KΩ以内的电阻，确
绝缘材料，又称电介质，是一种能够阻止电流通过的材料，其电阻率极高。它们在电场作用下能发生极化、储能、介质损耗和击穿等现象，但本身并不导电。绝缘材料广泛应用于电气设备中，用于隔离带电部件，防止电流泄漏，确保设备的安全运行。常见的绝缘材料类型有
