扫码关注
- 全部
- 默认排序
【摘要】某设备采取集中供电系统，外界直流通过设备-48V直流电源模块送电给背板，各槽位单板从背板直接取-48V，在单板进行DC-DC转换成其他电压供各芯片使用。直流电源模块具备浪涌防护功能，但在应用中发现单板TVS被浪涌击穿短路，而电源模块
MOS管本质上属于静电放电（ESD）敏感器件，本身的输入电阻很高，但栅源极间电容很小，所以相对于其他元件，MOS管更容易受到外界电磁场或静电的感应而带电，也会在强静电场合难于泄放电荷，静电击穿现象更明显。那么如何解决这个问题？一般来说，静电
极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM 表
电感、电阻、导线本身并不是保护器件，但在多个不同保护器件组合构成的防护电路中，可以起到配合的作用。防护器件中，气体放电管的特点是通流量大、但响应时间慢、冲击击穿电压高；TVS管的通流量小，响应时间最快，电压钳位特性最好；压敏电阻的特性介于这两者之间，当一个防护电路要求整体通流量大，能够实现精细保护的
电感、电阻、导线本身并不是保护器件，但在多个不同保护器件组合构成的防护电路中，可以起到配合的作用。防护器件中，气体放电管的特点是通流量大、但响应时间慢、冲击击穿电压高；TVS管的通流量小，响应时间最快，电压钳位特性最好；压敏电阻的特性介于这两者之间，当一个防护电路要求整体通流量大，能够实现精细保护的
ESD保护原理及选型
通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压（
INN3670C：集成了高压初级侧开关、同步整流、FluxLink反馈的离线反激式恒压/恒流准谐振开关电源ICINN3670C-H615-TL 离线转换器 60kHz 开关频率输出隔离：隔离内部开关：是电压 - 击穿：750V拓扑：反激，次
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超
在开关电源中，如果我们把整个电源比作人体的话，那么MOS管就相当于我们的大脑，相对于大脑对我们人体的控制，MOS管同样的对电源的整体输出控制起到了决定性的作用。 关于MOS管，有很多的参数，比如耐压值、击穿值、最大额定功率、额定电压等等，我们之前也说了很多关于MOS管该
爬电距离是指在两个电子部分之间，沿着绝缘材料表面测量的最短距离，这个距离是放置高电压或高湿度等恶劣环境下发生电气击穿和漏电现象的关键。在PCB设计中，爬电距离的计算和设置必须遵循相关的安全标准和规范，以此确保产品的电气安全。PCB爬电距离的
