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怎样测量小容量电容的好坏？1、检测10pF以下的小电容，因10pF以下的固定电容器容量太小，如果用指针式用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两电表金属测棒分别任意接电容的两个
通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，
在制造高频功率器件时，通常会遇到击穿电压与集电极串联电阻对集电极材料电阻率要求矛盾的问题，这种情况下通过外延技术可以很好解决这类问题，那么很多人就好奇外延技术到底是什么？今天我们来谈谈外延。在单晶硅衬底上沿着原来的结晶轴方向延伸生长一层导电
一、MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种
MOSFRT晶体管是现代电子电路中常用的关键器件，但在使用过程中很容易出现晶体管被击穿等问题，导致电子设备无法正常使用，那么针对这个情况该如何分析原因并找到解决方法？1、过压过压是指在MOSFET晶体管的极间施加过高的电压，超过了其最大耐压
稳压二极管是一种能够在一定程度上维持电路中的电压稳定的二极管，其稳压值是指在其工作区域内，稳压二极管的反向击穿电压值。在实际应用中，如何判断稳压二极管的稳压值是非常重要的。1. 查阅稳压二极管的规格书在选择稳压二极管时，通常会有其规格书或数
MOS管能否被静电击穿？
作为电子工程师，想必对MOS管（金属氧化物半导体场效应管）不陌生吧，MOS管在多种电路非常重要，但在实际应用中可能会存在一定的风险，其中之一就是静电击穿，下面我们来看看，MOS管是否能被静电击穿？1、什么是静电击？一般来说，静电击穿是指由于
整流二极管是一种常见的电子元件，主要用于将交流电转换为直流电。在使用整流二极管的过程中，有时会出现击穿的情况，导致元件失效。那么，整流二极管击穿的原因是什么呢？本文将为您详细介绍。1. 过电压整流二极管在正向工作时，其正向电压一般在0.6V
在现代电子设备中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是一种常见的元件，具有很多优秀的特性，如高阻抗、低噪声、易于驱动等，但在设计过程中，会发现MOS管刚通电就被烧毁，这是怎么回事？首先，MOS管在刚通电的瞬间就可能被烧毁。这种问题可能
在集成电路中，若电子系统正常工作，ESD器件的作用几乎忽略不计，但当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压时，ESD器件将开始起作用，起到很大的作用，它可将电流分流到地，保护后级敏感电子元件免受静电损坏。当然，可能很多小白不清楚，所以下面细说
