扫码关注
- 全部
- 默认排序
在电子系统设计中，mosFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选型很重要，将直接影响系统的性能、效率和可靠性，本文将简洁介绍mosFET器件选型的三大方法，希望对小伙伴们有所帮助。1、选择P沟道还是N沟道N沟道mosFET：适用于低压侧开
mos管导通和关断过程
最近一直在说mos管的知识，就有朋友留言说能具体说一下mos管的导通和关断过程吗，那我们今天来说一下mos管的导通和关断具体过程。 为了更好的理解mos管的导通和关断过程，我们一般会将电路中的寄生电感忽略掉，下面我们以一个最简单的钳位感应开关模型来说明。 对于mos的导通过程我们可以
mos功率损耗
mos管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：mosFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
mos管基础知识
前面章节讲了mos管的一些特性，就有一些同学留言问能不能讲一下mos管的基础知识，我前面也说了很多有关于mos的文章，那这一章我们还是简单的说一下mos管的基础知识。 mos管是FET的一种，可以被制作成增强型和耗尽型，P沟道或N沟道类型，在我们开关电源设计时，一般使用的是增强
简介集成光电子技术利用成熟的 Cmos 制造工艺，将各种设备功能集成到单个芯片上，从而彻底改变了光学和光子技术。这包括光子的产生、操纵和检测。一个令人兴奋的应用是将集成光电子技术用于量子传感、量子计量、量子密码学和光子计算，这通常涉及非常微弱的光信号，低至单光子水平。要在如此低的光水平下进行精确测量
前面说了一些mos管的知识，就有同学留言说能不能说一下mos管的一些简单使用场合和工作原理，那我们今天来简单说一下，首先我们知道我们的电源从结构来划分的话，可以分为隔离型和非隔离型，那我们今天也将mos所在的原理图分为隔离和非隔离两类来说明。 下图为不隔离的驱动电路，电
全桥式开关电源解析
今天来讲解一下全桥电路中的一类：全桥逆变线路。按照以往习惯，先上线路原路图：我们可以看到上图是由芯片和4个mos管共同构成的全桥式开关电源输出部分，当时芯片使用的好像是LM27402MHX型号，具体参数有兴趣的小伙伴可以上网查找，我这边只贴出芯片产商推荐外围线路架构图与芯片内部结构原路图，如下图所示
mos管导通和关断过程
最近一直在说mos管的知识，就有朋友留言说能具体说一下mos管的导通和关断过程吗，那我们今天来说一下mos管的导通和关断具体过程。 为了更好的理解mos管的导通和关断过程，我们一般会将电路中的寄生电感忽略掉，下面我们以一个最简单的钳位感应开关模型来说明。 对于MO
在开关电源中，如果我们把整个电源比作人体的话，那么mos管就相当于我们的大脑，相对于大脑对我们人体的控制，mos管同样的对电源的整体输出控制起到了决定性的作用。 关于mos管，有很多的参数，比如耐压值、击穿值、最大额定功率、额定电压等等，我们之前也说了很多关于mos管该
mos功率损耗
mos管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：mosFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
