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mos管，即金属氧化物半导体场效应管，凭借着输入阻抗高、开关速度快、热稳定性优良等特点，是现代电子电路中常用的半导体器件之一。在mos管的结构中有三个重要电极，分别是G极、S极、D极，下面聊聊这些电极。一般来说，一个典型的N沟道mos管由一
极限参数也叫绝对最大额定参数，mos管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则mos管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM 表
1、ADUM220N0BRWZ 可靠的 5.0 kV rms 双通道数字隔离器、0 个反向通道和 7.8mm 爬电距离ADuM220N 是一款采用iCoupler®技术的双通道数字隔离器。该隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(Cmos)与
要比喻的话，三极管像绿皮车，mos管像高铁。mos管即场效应管（mosFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。mos管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设计及应用
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导
mosT总线介绍
mosT总线（Media Oriented Systems Transport）是一种用于车载多媒体系统的通信标准，旨在提供高质量音频和视频传输。以下是有关mosT总线的详细解释：mosT总线的特点：1. 高质量音频传输：mosT总线支持高分辨率音频传输，能够提供优质的音频体验。这使得车载音响系统能
一、开关和放大器mos管最常见的电路可能就是开关和放大器。1. 开关电路G极作为普通开关控制mos管。2. 放大电路让mos管工作在放大区，具体仿真结果可在上节文章看到。二、时序电路中作为反相器使用下图示例电路中，芯片1正常工作时，PG端口高电平。如果芯片1、芯片2有时序要求，在芯片1正常工作后，使
NAND闪存
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(mosFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)
1、ISZ113N10NM5LFATMA1Optimos™ 5线性FETISZ113N10NM5LF Optimos™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDS
器件说明：MPQ4431 是一款内部集成了高端和低端功率 mosFET 的频率可调（350kHz 至 2.5MHz）同步降压开关调节器。它采用电流控制模式，可以提供高达 1A 高效输出电流，具有快速环路响应。3.3V 至 36V 宽输入范围
