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关于Mosfet的寄生容量和温度特性Mosfet的静电容量功率Mosfet在构造上，如图1存在寄生容量。功率Mosfet在构造上，如图1存在寄生容量 Mosfet的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的
产品概述IMW120R007M1HXKSA1 CoolSiC 1200V SiC沟槽式Mosfet将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。CoolSiC 1200V SiC沟槽式Mosfet基于先进的沟槽半
关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为Mosfet（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结
关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为Mosfet（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结
产品概述：AP8852 是一款内部集成有功率Mosfet管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速 环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至60V）提供0.5A电流的高效率输出，可在 移动环境输入的条件下实现各种降压型
产品概述1200V碳化硅汽车Mosfet系列已开发用于当前和未来混合动力和电动汽车的车载充电器和DC-DC应用。基于最先进的英飞凌SiC沟槽技术结合. xt互连技术，碳化硅Mosfet专为满足汽车行业在可靠性、质量和性能方面的高要求而设计。
UCC27531QDBVRQ1功能框图驱动配置：低端通道类型：单路驱动器数：1栅极类型：IGBT，N 沟道 Mosfet电压 - 供电：10V ~ 32V逻辑电压 - VIL，VIH：1.2V，2.2V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.
一、TPS54360和TPS54560是60V输入、3.5A和5A降压DC/DC 转换器，带一个集成的高边Mosfet。TPS543x0和TPS545x0器件具有100kHz到2.5MHz的固定开关频率。这些降压转换器能够耐受的抛负载脉冲高
半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、Mosfet)、IGBT、IGCT、发光二极管、敏感器件等。半导体分立器件
关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为Mosfet（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结
