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做过射频功放设计的工程师应该都有这种感受：效率高的功放，线性度往往不理想；线性度好的功放，效率又上不去。这俩就像鱼和熊掌，似乎总也兼得不了。拿5G基站来说吧，现在主流的氮化镓（GaN）功放效率能到50%-60%，比传统的LDMOS高出一大截
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问答
面对一堆分立元件如何布局
想请教一下，电路中是一些分立元件，有三极管，MOS管，电容， 电阻，稳压二极管。是应该按照信号的流向摆放元件？还是把同类型的元件先摆放在一起（比如有3个MOS管，先把他们摆放在一起？），然后再拉线么？。因为发现如果按照信号的流向摆放元件，然后感觉元件的摆放就杂乱无章。 但是如果把同类型的元件摆放在一
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D在RCD吸收的时候，对于二极管的选取，其耐压值为什么要按照vcc供电电压去选取，而不是MOS管关断瞬间产生的那个高压？
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12V 经MOS到充电芯片给电池充电，电池充电温度较高？ 描述: 图示12V 经MOS到充电芯片给电池充电 问题: 电池充电温度较高 解决方案: 控制MOS管工作在可变电阻区，从而分压，这样充电芯片入口的电压变低，使得充电电流变小 疑问: 可行性如何？
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