找到 “MOS” 相关内容 条
  • 全部
  • 默认排序

MOSFET是一种在模拟电路和数字电路中都应用的非常广泛的一种场效晶体管。三极管也成为双极型晶体管,他能够控制电流的的流动,将较小的信号放大成为幅值较高的电信号。MOSFET和三极管都有ON状态,那么在处于ON状态时,这两者有什么区别呢?

在ON状态下 Mosfet与三极管有何不同之处?

三极管和MOS管的区别

2298 0 0
三极管和MOS管的区别

​首先MOS管属于电压型元器件,没有电流的损耗,通过控制G来形成我们的电压控制,MOS分为结型场效应管和绝缘栅型管,绝缘栅型管又分为增强型和耗尽型

2393 2 0
MOS管的认识不用纠结

​为了达到控制芯片和控制芯片之间的IO传输电平保持一样,不受到我们的不同芯片的供电电压的影响,我们会经常用到电平转换电路,电平转换电路常有分立元件搭建,专用电平转换电平芯片来实现电平转换。

 电平转换电路

我们常用的防反接保护电路,可以用二极管(压降0.7,会有压降损耗),PMOS管,NMOS管来进行我们的防反接电路的设计,这张图是PMOS管组成的防反接电路。

防反接保护电路

寄生电容是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,一个电阻的串联,低频情况下表现不明显,而高频情况下,等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感,ESR就是等效电阻。不管是电阻,电容,电感,还是二极管,三极管,MOS管,还有IC,在高频情况下要考虑到等效电容值,电感值

MOS管寄生电容

由于TTL的低电平输入电流1.6mA,而CMOS的低电平输出电流只有因而一般都得加一个接口电路。这里介绍一种采用单电源的接口电路。

CMOS集成电路驱动其他器件接口电路设计

利用集电极开路的TTL门电路可以方便灵活地实现TTL与CMOS集成电路的连接

其他器件驱动CMOS集成电路接口电路设计

DC/DC电源指直流变换为直流的电源,从这个定义看,LDO也应归属于DC/DC电源,但一般只将直流变换到直流,且这种转换是由开关方式而实现的电源称为DC/DC电源对于LDO的优点是低噪声低纹波、应用简单、成本低、输入/输出几乎无延时,而缺点是功耗大、效率低、只能用做降压变换、只支持小电流的输出(受散热条件的限制,LDO最大功耗不能超过3W)、无法实现输入/输出的隔离。LDO的这种特性与其内部的晶体管(或 MOSFET)工作于线性区有关。DCDC则基本克服了LDO所具有的缺点,DCDC电源的 MO

DCDC电源与LDO电源的比较

MOSFET是DCDC电源电路中最关键的器件之一, MOSFET的正确选型在很大程度上决定了电源电路是否能正常工作。MOSFET和三极管都可作为开关器件,首先简要地对比这两种器件的特性。(1) 三极管器件属于双极型流控器件,为获得大的集电极电流,相应地需注入大的基极电流,且三极管的响应速度在很大程度上受到其内部少数载流子(少子)的影响。而MOSFET属于单极型压控器件,工作时,在栅极上消耗的电流极小,且其工作原理只涉及多数载流子(多子),不受少子的影响,因此其响应速度和功率效率都远高于

DCDC电源电路中 MOSFET的应用要点