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随着微电子技术的发展，越来越多的电子产品急需高性能来处理高数据量问题，这也促使电路设计愈发复杂，以适应多种不同的需求变化，这也充分考验电子工程师的设计能力和理论能力。其中之一是电路设计时应如何配置去耦电容？
在直流电源回路中，负载的变化都会引起电源噪声，如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，将会在电源线上产生一个很大的尖峰电流。形成瞬变的噪声电压，配置去耦电容可抑制因负载变化而产生的的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：
1、电源输入端跨接一个10-100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
2、为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器，如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4-10个芯片配置一个1-10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz-20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。
3、对于噪声能力弱，关断时电流辩护大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
4、去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
