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据报道，目前英特尔方面已经完成了代号为Intel 20A（2纳米级）和Intel 18A（1.8纳米）芯片制造工艺的研发。需要强调的是，这两项新工艺节点尚处于早期研发阶段，离真正可以用于大规模商业量产还非常遥远，一旦完善成熟之后，这两项工艺将用于制造自家未来的处理器，以及对外提供的芯片代工制造服务。
据悉，英特尔的Intel 20A制造工艺依赖于栅极全能RibbonFET晶体管，使用背面供电，该工艺可以缩小金属间距，这是一项重大的创新，但具有一定的风险。
Intel 18A制造工艺将在Intel 20A工艺的基础上，采用该公司的RibbonFET和PowerVia技术进行进一步完善，并进一步地缩小晶体管尺寸。
英特尔最初计划在其1.8埃节点上使用ASML 0.55数值孔径(NA)光学器件的Twinscan EXE型光刻机，但后来英特尔觉得这个方案过于保守，决定加快进度，将采用现有的具有0.33 NA光学器件的Twinscan NXE扫描仪，以及EUV双模式。
该公司预计，当其1.8纳米级制造技术在2024年下半年进入高产量制造时，它将成为行业最先进的节点。
Intel的20A和18A制造工艺既为公司自身产品的生产开发，也将用于Intel Foundry Services (IFS)事业部为其代工客户生产芯片。
Intel的首席执行官Pat Gelsinger在最近与分析师和投资者的电话会议上表示：“我们与10大代工客户中的七家保持着积极的合作关系，并持续扩大合作伙伴生态系统的增长，目前已经有43个潜在客户和生态系统合作伙伴进行测试芯片。”此外，我们在Intel 18A方面仍在取得进展，已经与我们的主要客户分享了PDK 0.5（工艺设计工具包）的工程版本，并预计在未来几周内发布最终生产版本。”
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