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在电子工程中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是一种极为常见的半导体器件，特点是高效高速低功耗等，因此被广泛应用在各种电子设备中，然而有时候，电流方向难以控制，所以工程师你知道如何控制MOS管的电流方向吗？1、MOS管的结构及工作原
作为电子工程师，经常会碰见那些行业“黑话”，了解这些“黑话”，对更好进行电路设计和PCB制造至关重要，下面来看看有哪些“黑话”需要记住！1、过孔：指PCB上连接不同层导线的通孔；2、焊盘：指PCB上用于焊接电子元件的金属垫，通常与导线相连；
电容位移传感器是一种常用的位移测量传感器，由两个平行的金属板组成，中间隔着一个绝缘材料（例如空气或塑料）。它主要通过测量电容值的变化来实现对物体位置的测量。本文将围绕电容位移传感器的工作原理及类型进行详细介绍。一、电容位移传感器的工作原理电
提起热敏电阻（NTC），很多电子工程师不会陌生。NTC热敏电阻是一种具有负温度系数的热敏电阻器，它由金属氧化物陶瓷材料组成，具有高灵敏度、低成本、易于集成等特点。NTC热敏电阻的电阻值随着温度的变化而变化，具有快速响应、高可靠性、长寿命等优
在电子工程中，米勒效应是一个重要的概念，尤其是在MOS管（金属氧化物半导体场效应管）开关的应用中，但有很多电子小白不太清楚这个效应，所以今天将开展这个话题的讨论，希望对小伙伴们有所帮助。按定义来说，米勒效应是指在MOS管的栅极和源极之间加上
1）干簧管的原理干簧管（磁簧开关）是一个通过磁场操作的电开关。干簧管的结构，一般是由两片软磁性的金属簧片，密封在玻璃管内组成；两个簧片中间的间隔很小，如下图所示：它的工作原理是，当外部有磁场靠近时，在两个簧片被磁化产生不同极性的磁场，当磁场强度足够是，两个簧片就会吸合到一起，这样开关就导通了；当外部
MOS管，即金属氧化物半导体场效应管，凭借着输入阻抗高、开关速度快、热稳定性优良等特点，是现代电子电路中常用的半导体器件之一。在MOS管的结构中有三个重要电极，分别是G极、S极、D极，下面聊聊这些电极。一般来说，一个典型的N沟道MOS管由一
1、ADUM220N0BRWZ 可靠的 5.0 kV rms 双通道数字隔离器、0 个反向通道和 7.8mm 爬电距离ADuM220N 是一款采用iCoupler®技术的双通道数字隔离器。该隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与
湿法化学腐蚀
湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。正常一些的腐蚀Sio2等氧化层工艺，也有许多腐蚀铜、Al、Cr、Ni等金属层工艺。有时还需要做一些晶圆的返工程序，如何配置王水、碘化物溶液等。相对于真空设备，成形稳定的工艺参数来讲，化学间才是考验芯片工程师的主要场地。
NAND闪存
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)
