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在电子工程中，米勒效应是一个重要的概念，尤其是在MOS管（金属氧化物半导体场效应管）开关的应用中，但有很多电子小白不太清楚这个效应，所以今天将开展这个话题的讨论，希望对小伙伴们有所帮助。按定义来说，米勒效应是指在MOS管的栅极和源极之间加上
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要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设计及应用
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在电子电路中，米勒效应是很常见的现象，尤其是在高频电路和功率转换电路中。它描述了电路中某些元件之间的寄生电容对信号传输和放大的影响，从而导致信号失真、放大倍数降低及系统性能下降等问题，本文将阐述米勒效应，希望对小伙伴们有所帮助。1、米勒效应
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