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Microchip推出最新一代汽车用700 和 1200V 碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）-Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证，对于需要在提高系统效率的同时保持高质量的电动汽车电源设计人员来说，可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性，实现稳定和持久的应用寿命。
号外、号外、号外， 英飞凌电源与传感系统云端大会 启动啦~ 9月7日-11日， 两岸三地、专家携手， 一场功率 传感的技术盛会正在袭来！ 精彩主题抢先看 01 极致功率，引领广泛应用的能效创新 采用英飞凌功率器件实现高性能开关电源设计 零电压开通高效反激拓扑电源设计与方案介绍 两轮摩托车的电气化变革与创新机会 英飞凌的宽带隙功率解决方案：硅、碳化硅、氮化镓 高效能存储及创新电池第二寿命解决方案 在5G网络中边缘计算的发展 02 广博传感
罗姆推出具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件-通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。
这趟“高效节能”车没有老司机，全靠英飞凌功率技术带你飞！-什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
这趟“高效节能”车没有老司机，全靠英飞凌功率技术带你飞！-什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
钻石能否做成晶体管使用？
James Bond小说的作者Ian Flemin曾写道，钻石可能是永恒的。但在工程师的角度来看，其或将永远处于实用半导体材料的边缘。尽管这种材料具有优点——比竞争对手的碳化硅和氮化镓（GaN）更宽的带隙，优良的热传导，以及在比硅钻石的缺点
据国外媒体报道，本周美国半导体产业大厂Wolfspeed正式启用其位于美国纽约州马西的莫霍克谷碳化硅（SiC）制造厂，该厂将有助于推动整个行业从硅基半导体向碳化硅基半导体的转型。据悉，莫霍克谷晶圆厂是全球第一个、最大、也是唯一的8英寸（20
近日，中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅（SiC）晶体，并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片，实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。据了解，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，
产品概述 CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、
概述英飞凌CoolSiCTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数：IMZA120R040M1HXKSA1 （IMZA120R040M1H）FET 类型：N
