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TPS7A02这款产品拥有着25nA的超低静态电流，加上0.65mm×0.65mm DSBGA的封装尺寸，简直太适合用在家居、可穿戴设备、监控摄像系统、自动化的场景了。
从三大方面闲谈开关电源的电磁干扰抑制方法-之前民熔小课堂分享了开关电源电磁干扰的五个干扰源，而电磁兼容的三要素是干扰源、耦合通路和敏感体。抑制上述任何一个都可以减少电磁干扰。开关电源工作在高压大电流高频开关状态下，其电磁兼容问题更为复杂。然而，它仍然符合电磁干扰的基本模型，抑制电磁干扰的方法又是什么呢？小课堂就从三个方面来聊聊电磁干扰的抑制方法。
从三大方面闲谈开关电源的电磁干扰抑制方法-之前民熔小课堂分享了开关电源电磁干扰的五个干扰源，而电磁兼容的三要素是干扰源、耦合通路和敏感体。抑制上述任何一个都可以减少电磁干扰。开关电源工作在高压大电流高频开关状态下，其电磁兼容问题更为复杂。然而，它仍然符合电磁干扰的基本模型，抑制电磁干扰的方法又是什么呢？小课堂就从三个方面来聊聊电磁干扰的抑制方法。
小信号MOSFET桥驱动设计MC34063扩流降压电路图-电路中使用了内阻10Ω的小信号MOSFET桥驱动，后级功率管总能处在较佳工作状态，只要有适当的大功率MOSFET和电感，再增大输出电流是很容易的事。
ADI：关于开关频率需考虑的因素-在设计电路时，必须考虑到开关频率可能会有20%的变化，由于流经电感的峰值电流会随实际开关频率有所不同，因此，电感电流纹波会直接影响输出电压纹波。
罗姆推出具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件-通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。
.电路设计时，应先测定负载电流的准确值，然后参考示例来选择降压电容器的容量。因为通过降压电容C1向负载提供的电流Io，实际上是流过C1的充放电电流Ic。
.电路设计时，应先测定负载电流的准确值，然后参考示例来选择降压电容器的容量。因为通过降压电容C1向负载提供的电流Io，实际上是流过C1的充放电电流Ic。
