淘宝里面我们会看到我们的继电器的型号和种类，其次基本上继电器的分类由我们的电压的3V,5V,12V,24V等等，继电器的作用目的是进行隔离，作用和光耦一样，   继电器驱动电流一般需要20-40mA或更大才能使继电器吸合。

集成电路设计过程1.电路设计依据电路功能完成电路的设计。2.前仿真电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真。3.版图设计（Layout） 依据所设计的电路画版图。一般使用Cadence软件。4.后仿真对所画的版图进行仿真，并与前仿真比较，若达不到要求需修改或重新设计版图。5.后续处理将版图文件生成GDSII文件交予Foundry流片。集成电路设计的辅助和自动化主条目：计算机辅助设计和电子设计自动化

干簧管是感元件，当磁铁近时，常开触点闭合而接通感电路 触点负荷仅为十毫安；通常玩具直流电动机工作电压低，虽然在1.5～3V就可以启动，但起动电流较大（1～2安培），电动机空载时运转电流约为500mA

我们常把晶振比喻为数字电路的心脏，这是因为，数字电路的所有工作都离不开时钟信号，晶振直接控制着整个系统，若晶振不运作那么整个系统也就瘫痪了，所以晶振是决定了数字电路开始工作的先决条件。 我们常说的晶振，是石英晶体振荡器和石英晶体谐振器两种，他们都是利用石英晶体的压电效应制作而成。在石英晶体的两个电极上施加电场会使晶体产生机械变形，反之，如果在晶体两侧施加机械压力就会在晶体上产生电场。并且，这两种现象是可逆的。利用这种特性，在晶体的两侧施加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时产生交变电场。这种震

器件的"寿终正寝"是一种源于物理或化学变化的累积性衰退效应。大家都知道，电解电容和某些类型的薄膜电容"终有一死"，原因是在微量杂质（氧气等）和电压力的共同作用下，其电介质会发生化学反应。集成电路结构遵循摩尔定律，变得越来越小，正常工作温度下的掺杂物迁移导致器件在数十年（而非原来的数百年）内失效的风险在提高。另外，磁致伸缩引发的疲劳会使电感发生机械疲劳，这是一种广为人知的效应。某些类型的电阻材料会在空气中缓慢氧化，当空气变得更为潮湿时，氧化速度会加快。同样，没有人会期望电池永远有效。

根据欧姆定律,当被测电流流过电阻时,电阻两端的电压与电流成正比.当1W的电阻通过的电流为几百毫安时,这种设计是没有问题的.然而如果电流达到10-20A,情况就完全不同,因为在电阻上损耗的功率(P=I2xR)就不容忽视了.我们可以通过降低电阻阻值来降低功率损耗,但电阻两端的电压也会相应降低,所以基于取样分辨率的考虑,电阻的阻值也不允许太低.

一、输入失调电压(Offset Voltage，VOS) （一）定义：在运放开环使用时， 加载在两个输入端之间的直流电压使得放大器直流输出电压为 0。 （二）优劣范围：1µV 以下，属于极优秀的。100µV 以下的属于较好的。最大的有几十mV。 （三）对策： 1）选择 VOS远小于被测直流量的放大器， 2）过运放的调零措施消除这个影响 3）如果你仅关心被测信号中的交变成分，你可以在输入端和输出端增加交流耦合电路，将其消除。 4）如果 IB1=IB2，那么选择 R1=R2//RF，可

一、输入失调电压(Offset Voltage，VOS) （一）定义：在运放开环使用时， 加载在两个输入端之间的直流电压使得放大器直流输出电压为 0。 （二）优劣范围：1µV 以下，属于极优秀的。100µV 以下的属于较好的。最大的有几十mV。 （三）对策： 1）选择 VOS远小于被测直流量的放大器， 2）过运放的调零措施消除这个影响 3）如果你仅关心被测信号中的交变成分，你可以在输入端和输出端增加交流耦合电路，将其消除。 4）如果 IB1=IB2，那么选择 R1=R2//RF，可

有源滤波分为： 低通滤波（积分电路）; 高通滤波（微分电路）; 带通滤波（后期再和大家分享）; 带阻滤波（后期再和大家分享）。 运放电路反馈分为： 电流反馈，增大输出电阻，稳定输出电流 电压反馈，减少输出电阻，稳定输出电压 串联反馈，增大输入电阻，稳定输入电压，降低电压放大倍数。 并联反馈，减少输入电阻，稳定输出电流，降低电流放大倍数。

在深圳电路设计中，经常会碰到一些功耗较高的元器件，如电源芯片、MOSFET、IGBT等。线型电源芯片选择时，知道输入电源、输出电源、以及输出电流时，以前个人做法就是，稳定工作时，电源芯片的外壳不烫手，所以尽量选择大一点的外壳封装芯片。如24V电源转18V电源，需要输出电流100mA，可选用78系列芯片，其封装有直插TO220、TO92，贴片TO236、TO89、TO252、SO8等等，这些芯片输出电压18V，输出电流都大于100mA，如何选择呢？