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激光器的漏电流
漏电流，听名字就知道是个比较负能量的一个东西。在半导体领域，二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止。在承受反压的时候，会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小，而且反压越高，漏电流越大，温度越高，漏电流越大。大的漏电流会带来较大的损耗，特别在高压应用场合。产生的原因:从半导体材料
激光芯片的可靠性是一项十分关键的指标，无论是小功率的激光笔还是要求较高的激光通信芯片，都需要进行芯片的老化和可靠性的测试。 相比于传统的电子类的芯片，激光的测试比较复杂，牵涉到光、电的测量，也要考虑封装形式的区别。老化试验是作为芯片的一个检测手段，在研发初期，也可以通过芯片老
可见光激光器的应用是十分广泛的，甚至有人说可见激光是比LED更棒的光源。但是其发展的主要困难是如何选择合适的有源层、限制层材料以及对应的生长工艺。 我们知道He-Ne激光器632.8nm的激光器用途很广泛。氦氖激光器是以中性原子气体氦和氖作为工作物质的气体激光器。以连续激励方式输出连续
Vcsel芯片和制作流程
但凡说到激光器，人们必须提及Vcsel，也就是垂直腔面发射激光器：Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser。2017年苹果公司iPhone X采用vcsel作为3D感应技术，用于Proximity sensor和 Face ID模块，彻底把Vcsel炒热了。之后发
激光器芯片的WPE思考
WPE在LD芯片中指电光转换效率。 WPE=出光功率/工作电流/工作电压。因此WPE越大越好，说明电转成光的效率越高。额外的部分电能，大部分以热能的形式释放。WPE高的话，转换的热也会变少。 An AlGaInP/GaAs red LD suffers from low wall pl
高功率二极管ＬＤ失效特性
LD具有高转换效率，体积小，可靠性高等特点被广泛应用，但是高功率LD芯片制造工艺复杂，价格贵，外延、芯片、封装等的缺陷影响着器件的成品率。 激光器的失效模式1 主要失效特性LD失效的三个时间段： 早期失效、偶然失效、损耗失效早期失效的原因：芯片制造工艺缺陷、焊接失效、芯片端面绝缘层失效。损耗失
激光器芯片的条形结构
条形激光器可以在Y方向上对注入电流进行限制，也可以对光起到限制作用。从而降低阈值电流。常见的三种条形激光器：三种条形的区别是：第一个直接采用介质膜做出条形金属接触形状。第二个是挖掉一部分P砷化镓接触层，但是离量子阱还有点距离。第三个是直接挖到N砷化镓，然后填充介质膜，把发光有源层都埋进去。
DFB激光器芯片和FP激光器的区别 法布里-珀罗激光器(FP-LD)是最常见、最普通的半导体激光器，它最大的特点是激光器的谐振腔由半导体材料的两个解理面构成。目前光纤通信上采用的FP-LD的制作技术已经相当成熟，普遍采用双异质结多量子阱有源层、载流子与光分别限制的结构。FP芯片结构如上图。DF
激光器的线宽和带宽名字很相近，但是表示的意思差很大的。首先看线宽，线宽比较好理解，就是激光光谱的半峰全宽。 激光器带宽，就不是一个光谱的长度单位了，它的全名应该叫激光器调制带宽。半导体激光器的调制带宽是指可以输出的或者加载的最高信号速率（对数字信号而言），或者是输出（或加载的）模拟信号的最大带宽。
激光器晶圆的切割工艺
关于激光器晶圆切割问题，在上次的基础上补充一些内容，大家建议取消文章收费设置，本主觉得有道理，以后发文均不收费了。 这是一篇关于晶圆切割的问题，主要是我用到的GaAs晶圆，也可以应用到InP晶圆等等需要晶面的晶圆上，供大家借鉴。 如下图，dies从wafer上切割下来，才能进行下一步的封装，
