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作为一名电源研发工程师,自然经常与各种芯片打交道,可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解,不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面,按照推荐设计搭建外围。如此一来即使应用没有问题,却也忽略了更多的技术细节,对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。今天以一颗DC/DC降压电源芯片LM2675为例,尽量详细讲解下一颗芯片的内部设计原理和结构。
开关电源具有体积小、重量轻、效率高等优点,广泛应用于各个领域。由于开关电源固有的特点,自身产生的各种噪声却形成一个很强的电磁干扰源。所产生的干扰随着输出功率的增大而明显地增强,使整个电网的谐波污染状况愈加严重。对电子设备的正常运行构成了潜在的威胁,因此解决开关电源的电磁干扰是减小电网污染的必要手段,本文对一台15kW开关电源的EMC测试,分析其测试结果,并介绍如何合理地正确选择EMI滤波器,以达到理想的抑制效果。
50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动直流电压u1,再通过输入滤波电容得到直流高压U1。在理想情况下,整流桥的导通角本应为180°(导通范围是从 0°~180°),但由于滤波电容器C的作用,仅在接近交流峰值电压处的很短时间内,才有输入电流流经过整流桥对C充电。50Hz交流电的半周期为 10ms,整流桥的导通时间tC≈3ms,其导通角仅为54°(导通范围是36°~90°)。因此,整流桥实际通过的是窄脉冲电流。桥式整流滤波电路的原 理如图1(a)所示,整流滤波电压及整流电流的波形分别如图l(b)和(
开关模式电源(Switch Mode Power Supply),又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源(例如市电)或是直流电源,而输出多半是需要直流电源的设备,例如个人电脑,而开关电源就进行两者之间电压及电流的转换。
因为电路长得像字母H而得名,通常它会包含四个独立控制的开关元器件,例如下图有四个MOSFET开关元器件Q1、Q2、Q3、Q4。 它们通常用于驱动电流较大的负载,比如电机。
极管有三个工作状态;截止、放大、饱和;放大状态很有学问也很复杂,多用于集成芯片,比如运放,现在不讨论;其实对信号的放大我们通常用运放处理。三极管更多的是当做一个开关管来使用,且只有截止、饱和两个状态。
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中,这种情况会变得更加复杂。
在电路上电之前。开关"TEST"断开,单片机也没有通过VCC加电。此时,T1的基极通过R9(100k)接地,处于截止状态。T3的基级电阻R7所连接的Test,T1都处于截止状态,所以T3也处于截止状态。
衡量开关电源稳定性的指标是相位裕度和增益裕度。同时穿越频率,也应作为一个参考指标。 (1) 相位裕度是指:增益降到0dB时所对应的相位。 (2) 增益裕度是指:相位为0deg时所对应的增益大小(实际是衰减)。 (3) 穿越频率是指:增益为0dB时所对应的频率值。 相位裕度,增益裕度,穿越频率,如图(波特图)所示。