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离子注入工艺仿真
离子注入作为半导体常用的掺杂手段，具有热扩散掺杂技术无法比拟的优势。列表对比掺杂原子被动打进到基板的晶体内部，但是它是被硬塞进去的，不是一个热平衡下的过程，杂质一般也不出在晶格点阵上，且离子轨迹附近产生很多缺陷。如下图，但是离子注入之后也是需要二次退火的，退火的目的一是去除缺陷，二是让掺杂的原子能
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TCAD基础知识介绍
TCAD相信很多人都用过，很多人说做工艺指导还行，信它就可能把片子玩飞了。TCAD在工艺仿真上有它一定的局限性，毕竟工艺过程总环境、物料、人的影响很大。作为器件仿真还是值得学习一下。 TCAD就是Technology Computer Aided Design，指半导体工艺模拟以及器件模拟
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1 •外延的命令epitaxy，参数及其说明如下：1.1外延的例子1.3光刻仿真•OPTOLITH模块可对成像(imaging)，光刻胶曝光(exposure)，光刻胶烘烤（bake）和光刻胶显影（development）等工艺进行精确定义••OPTOLITH提供光阻的库及其光学性质和显影时的特性（
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