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答：高速电路设计中电容的作用有如下几个：电荷缓冲池。电容的本质是储存电荷与释放电荷，当外界环境变化时，使得驱动器件的工作电压增加或者减少时，电容可以通过积累或者释放电荷来吸收这种变化，即将器件工作电压的变化转变为电容中电荷的变化，从而保持器件工作电压的稳定；
答：PCB设计中常用的存储器有如下几种：Ø SDRAM，Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50%；
5V来自于TTL电平。5为True，0为False，之后用了压降更低的PN节，衍生出了3.3这个电平。12V和24V来自于汽车电瓶，早年乘用车又12V和24V两个系统，现在一般小型车12V，商用车24V，再究其由来应该是铅酸电池。所以3v3
通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，
今天我们来讲讲，下面这个“电平转换”电路，理解后令人心情愉快。电路设计其实也可以很有趣。先说一说这个电路的用途：当两个MCU在不同的工作电压下工作(如MCU1工作电压5V；MCU2工作电压3.3V)，那么很明显是不能将对应的TX、RX引脚直
许多集成电路(IC)都有一些可能比较敏感的输入，这使得它们在输入电压远高于正常值的的情况下(例如在ESD应力作用下)易于受损。正常工作电压与使器件开始受损的电压之间的区域是安全过压区。安全过压区与器件受损区之间有少许交叠，因为如果较大的过压
磷酸铁锂电池具有工作电压高、能量密度大、循环寿命长、自放电率小、无记忆效应、绿色环保等一系列独特优点，并且支持无级扩展，适合于大规模电能储存，在可再生能源发电站发电安全并网、电网调峰、分布式电站、UPS电源、应急电源系统等领域有着良好的应用
5V来自于TTL电平。5为True，0为False，之后用了压降更低的PN节，衍生出了3.3这个电平。12V和24V来自于汽车电瓶，早年乘用车又12V和24V两个系统，现在一般小型车12V，商用车24V，再究其由来应该是铅酸电池。所以3v3
通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，
随着微电子技术的若成熟，集成电路产业市值翻倍增长，已成为现阶段利润最高、投入资金最多的半导体产业，集成电路已成为电子工程师的核心技术，那么若是集成电路遇到困难，如工作电压异常，我们该如何检测？当然是通过直流工作电压检测方法解决。这是一种在通
